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纳祥科技8位移位寄存器74HC164D中文规格书，替代SN74HC164DR

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时间：2025.04.23

上传者：纳祥科技王工

纳祥科技74HC164D是一个具有与门控串行输入和异步清除（CLR）输入的8位移位寄存器。门控串行（A和B）输入允许完全控制输入数据；任一输入端的低电平抑制输入新数据，并在下一个时钟(CLK)脉冲将第
【IRLML6346TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML6346TRPBF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,33m

IRLML6346TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTD4863NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4863NT4G-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：60A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4

NTD4863NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
[免费]PRO/E Config学习

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时间：2020.03.02

上传者：rdg1993

Config學習关于配置文件选项为配置文件输入所需的设置，可以预设环境选项和其它全局设置。要设置配置文件选项，使用“选项”对话框（“实用工具”>“选项”）。本帮助模块含有一个按字母顺序显示每一选

config 學習
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，1

ISL9N308AD3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
GaN 电源方案

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时间：2021.08.16

上传者：X-IPM

130W氮化镓PD电源，南京芯干线方案与国内L公司方案对比。

gan 电源方案、南京芯干线
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM4930N-T1-PF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：

AM4930NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD30NF04LT-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：40V-最大持续电流（Id）：50A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,1

STD30NF04LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
信号链基础14.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

信号链基础 14pdf
【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT

IRFL9014TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)

AP4575GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO3400A-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AO3400A-VB丝印:VB1330品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.5A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

AO3400AVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
数控直流电流源资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

本设计由三个部分组成，键盘与显示，基于单片机的控制器，稳流电源。以89C52为主控单元，以数模转换器DAC0832输出参考电压，以该参考电压控制电压转换模块LM350K的输出电压大小，设计实用，精度高
音频嵌入SDI的FPGA实现.pdf

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时间：2021.03.18

上传者：Argent

FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展，至少在几年内还是遵循摩尔定律的规则，工艺不断升级，目前xilinx16nm工艺的FPGA已经

音频嵌入 sdi fpga 实现 pdf
【SUD50N04-8M8P-4GE3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SUD50N04-8M8P-4GE3-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：40V-最大电流：85A-导通电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10

SUD50N048M8P4GE3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【N3PF06-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

N3PF06(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：N3PF06

N3PF06 VBsemi SOT223 mos datasheet

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