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【AP9575AGH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AP9575AGH-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏电流：-38A-静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,2

AP9575AGHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SiA400EDJ-T1-GE3-VB】N沟道DFN6(2X2)封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SiA400EDJ-T1-GE3是一款N沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：30V-最大漏极电流：5.8A-导通时的电阻（RDS(ON)）：22mΩ@10V,28mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SiA400EDJT1GE3 VBsemi DFN62X2 mos datasheet
免费--最新 IE3*D v12.21 Crack

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时间：2020.02.24

上传者：2iot

免费--最新IE3*Dv12.21Crack,Zeland_IE3D_v12……

zeland
【BUK9240-100A-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BUK9240-100A-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：40A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31m

BUK9240100AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FQU13N06-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:FQU13N06-VB丝印:VBFB1630品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:25A-静态导通电阻(RDS(ON)):32mΩ@10V,36mΩ@4

FQU13N06VB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
单极低灵敏度霍尔开关HAL583 PDF资料下载

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时间：2021.06.22

上传者：hallwee

单极，灵敏度，霍尔开关，HAL583，PDF，资料，下载

单极灵敏度霍尔开关 HAL583 pdf 资料下载
【STN442D-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STN442D-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，适用于电流在N沟道中流动的应用。-**工作电压（VDS）：**60V，表示M

STN442DVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFU014PBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFU014PBF-VB丝印：VBFB1630品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：25A-导通电阻（RDS(ON)）：32mΩ@10V-门

IRFU014PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
单极霍尔开关HAL249 PDF资料下载

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时间：2021.06.22

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单极霍尔开关，HAL249，PDF，资料，下载

单极霍尔开关 HAL249 pdf 资料下载
【AO8808A-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：-**双N沟道：**该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

AO8808AVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
新思科电子SYS04开发板28脚转接座说明书.pdf

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时间：2021.04.25

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

新思科电子 SYS04 开发板 28脚转接座说明书 pdf
BLP_V10r00血压配置文件.pdf

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时间：2021.03.30

上传者：Argent

现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

BLPV10r00 血压配置文件 pdf
最新版本的双向免提通话回声消除、降噪芯片AS1124V

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时间：2024.01.08

上传者：森森

工作原理当对讲通话设备的扬声器和话筒距离较近时，扬声器发出的声音就会被话筒再次吸收、放大并通过扬声器重复送出，发生蜂鸣、回声、啸叫等现象。为解决这一问题，芯片可根据输入信号的强弱判断接收还是发送，并放
【2SJ179-VB】P沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ179-VB丝印：VBI2338品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.8A-静态开启电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10V,56mΩ@4.5

2SJ179VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【APM3048ADU4-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：APM3048ADU4丝印：VBE5638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±60V-最大电流：35A/-18A-导通电阻：38mΩ/58mΩ@10V,4

APM3048ADU4 NP VBsemi TO2525 mos datasheet
AD52090支持2x30W立体声/ 60W单声道D类音频放大器，兼容替代TPA3110

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时间：2023.02.09

上传者：sandtech168

AD52090支持2x30W立体声/60W单声道D类音频放大器，兼容替代TPA3110

AD52090 TPA3110
【ZXMP6A13GTA-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A13GTA-VB丝印：VBJ2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70m

ZXMP6A13GTAVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet

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