消费电子-消耗E币(免费)资料下载

IRFL9110TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：408.28KB

时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRFL9110TRPBF的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为2

IRFL9110TRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5262规格书|CS5262设计资料|DP转HDMI+VGA方案设计资料

所需E币：0

下载：4

大小：407.53KB

时间：2021.06.18

上传者：Mr_李13699759787

CS5262是瑞奇达新推的一款DP转HDMI+VGA音视频数据转换方案芯片，CS5262集成了DP1.4兼容接收机和HDMI2.0兼容接收机发射机和VGA输出接口。 DP接口包括4条主通道、

CS5262 CS5262规格书 CS5262设计资料
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.53KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
CS5263DP1.4 到HDMI2.0方案芯片设计

所需E币：0

下载：3

大小：407.47KB

时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5263设计用于连接DP1.4到HDMI2.0转接器。转换机支持5.4Gbps（HBR2）每个通道的速率。DP口结合了HDCP1.4和HDCP2.3内容保护方案具有嵌入式密钥，用于数字音内容的传输

CS5263 DP转HDMI20 CS5263方案芯片设计
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.39KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD4965NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.34KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4965NT4G-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-导通电阻（RDS(ON)）：2mΩ@10V,3mΩ@

NTD4965NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLML6346TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：406.87KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLML6346TRPBF-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：6.5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,33m

IRLML6346TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NTD4863NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：405.57KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4863NT4G-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：60A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,11mΩ@4

NTD4863NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
[免费]PRO/E Config学习

所需E币：0

下载：3

大小：405.5KB

时间：2020.03.02

上传者：rdg1993

Config學習关于配置文件选项为配置文件输入所需的设置，可以预设环境选项和其它全局设置。要设置配置文件选项，使用“选项”对话框（“实用工具”>“选项”）。本帮助模块含有一个按字母顺序显示每一选

config 學習
【ISL9N308AD3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：404.73KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：ISL9N308AD3-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：60A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，1

ISL9N308AD3VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
GaN 电源方案

所需E币：0

下载：19

大小：404.35KB

时间：2021.08.16

上传者：X-IPM

130W氮化镓PD电源，南京芯干线方案与国内L公司方案对比。

gan 电源方案、南京芯干线
【AM4930N-T1-PF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：404.05KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM4930N-T1-PF-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A和6.0A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：

AM4930NT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STD30NF04LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：404.01KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD30NF04LT-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：40V-最大持续电流（Id）：50A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,1

STD30NF04LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTF2955T1G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：403.45KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTF2955T1G(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1~-3V，封装：SOT223。应用简介：NT

NTF2955T1G VBsemi SOT223 mos datasheet
信号链基础14.pdf

所需E币：0

下载：2

大小：403.45KB

时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

信号链基础 14pdf
【IRFL9014TRPBF-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：403.33KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRFL9014TRPBF(VBJ2658)参数说明：P沟道，-60V，-6.5A，导通电阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围-1~-3V，封装：SOT

IRFL9014TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【AP4575GM-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：403.1KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AP4575GM-VB丝印:VBA5638品牌:VBsemi**详细参数说明:**-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±60V-额定电流:6.5A(正向)/-5A(反向)-导通电阻(RDS(ON)

AP4575GMVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

最新资讯