消费电子-消耗E币(免费)资料下载

【2SK2498-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：410.81KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK2498-VB丝印：VBMB1606品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：120A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：6mΩ@10V，7mΩ@

2SK2498VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【CJ3400-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：410.58KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CJ3400-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：6.5A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

CJ3400VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【HM70P04-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：410.57KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HM70P04-VB丝印：VBM2406品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-80A-开态电阻(RDS(ON))：4mΩ@10V,4.8mΩ@4.5V,20Vgs(±

HM70P04VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【AP18P10GH-HF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：410.51KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AP18P10GH-HF-VB丝印：VBE2101M品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-100V-最大电流：-15A-导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ@10

AP18P10GHHFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BSS138-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：410KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BSS138-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V

BSS138VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【STS10PF30L-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：409.97KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS10PF30L-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-11A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，

STS10PF30LVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
死区时间对变流器频谱的影响及.pdf

所需E币：0

下载：1

大小：409.77KB

时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

死区时间变流器频谱影响 pdf
【LR120N-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：409.2KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号LR120N-VB的详细参数和应用简介：**型号：**LR120N-VB**丝印：**VBE1101M**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类型

LR120NVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：408.9KB

时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
【STD25N10F7-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：408.77KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD25N10F7-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：100V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V-

STD25N10F7VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【BF1107-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：408.56KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:BF1107-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大电流:0.3A-静态导通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

BF1107VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
IRFL9110TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：408.28KB

时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为IRFL9110TRPBF的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为2

IRFL9110TRPBF VBsemi mosfet datasheet
CS5262规格书|CS5262设计资料|DP转HDMI+VGA方案设计资料

所需E币：0

下载：4

大小：407.53KB

时间：2021.06.18

上传者：Mr_李13699759787

CS5262是瑞奇达新推的一款DP转HDMI+VGA音视频数据转换方案芯片，CS5262集成了DP1.4兼容接收机和HDMI2.0兼容接收机发射机和VGA输出接口。 DP接口包括4条主通道、

CS5262 CS5262规格书 CS5262设计资料
【AOI444-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.53KB

时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOI444(VBFB1630)参数说明：N沟道，60V，25A，导通电阻32mΩ@10V，36mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2.4V，封装：TO251。应用简介：AOI444适

AOI444 VBsemi TO251 mos datasheet
CS5263DP1.4 到HDMI2.0方案芯片设计

所需E币：0

下载：3

大小：407.47KB

时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5263设计用于连接DP1.4到HDMI2.0转接器。转换机支持5.4Gbps（HBR2）每个通道的速率。DP口结合了HDCP1.4和HDCP2.3内容保护方案具有嵌入式密钥，用于数字音内容的传输

CS5263 DP转HDMI20 CS5263方案芯片设计
【SM3113NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.39KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：SM3113NSUC-TRG-VB-丝印：VBE1303-品牌：VBsemi-类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：100A-RDS(ON)：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V

SM3113NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTD4965NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：407.34KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTD4965NT4G-VB丝印：VBE1303品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：100A-导通电阻（RDS(ON)）：2mΩ@10V,3mΩ@

NTD4965NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet

最新资讯