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【2N7002LT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2N7002LT1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-最大连续电流:0.3A-静态开启电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10V,3000m
2N7002LT1GVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【UPA1870BGR-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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大小:417.87KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:UPA1870BGR-VB丝印:VBC6N2014品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:20V-最大电流:7.6A-静态导通电阻(RDS(ON)):13mΩ@4.5V
UPA1870BGRVB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
AD1890_1891.pdf
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大小:416.5KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
AD18901891pdf
ANT8816功率8W超低EMI超低噪声,防破音单声道AB/D类双模音频功放
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时间:2021.07.15
上传者:ledsuperb
ANT8816功率8W超低EMI超低噪声,防破音单声道AB/D类双模音频功放
ANT8816
【SUD50N06-09L-E3-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
详细参数说明:-型号:SUD50N06-09L-E3-VB-丝印:VBE1615-品牌:VBsemi-参数: -N沟道 -工作电压:60V -连续电流:60A
SUD50N0609LE3VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【AO4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:415.95KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
AO4606-VB是VBsemi品牌的N+P沟道MOSFET。其丝印为VBA5325。以下是其详细参数说明和应用简介:1.参数说明:-型号:AO4606-VB-丝印:VBA5325-品牌:VBsemi
AO4606VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
免費帖---QWERTY鍵盤手機細選篇
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时间:2020.03.02
上传者:16245458_qq.com
QWERTY鍵盤手機細選篇QWERTY键盘手机细选篇QWERTY键盘就是仿似于我们平时所使用的电脑键盘所凝生出来的手机键盘,而我们都知在常用的手机只有简单的数字键与功能键,是方便于日常的简单操作,也是
qwerty
鍵盤
手機
【IRF530S-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRF530S-VB丝印:VBL1101M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:20A-静态导通电阻(RDS(ON)):100mΩ@10V-静态导通电阻(RD
IRF530SVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
CXA1417 (DOLBY S).pdf
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时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
CXA1417
dolby
spdf
【APM9435KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:APM9435KC-TRL-VB丝印:VBA2333品牌:VBsemi参数:-类型:P沟道-额定电压(Vds):-30V-最大持续电流(Id):-6A-导通电阻(RDS(ON)):40mΩ@10
APM9435KCTRLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
ADS2004 Quick Start(免费)
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时间:2020.02.24
上传者:givh79_163.com
ADS2004QuickStart(免费),QuickStart……
quick
START
【NTD5865NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:NTD5865NLT4G-VB丝印:VBE1615品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:60V-最大电流:60A-静态开启电阻(RDS(ON)):9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-
NTD5865NLT4GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
信号链基础19.PDF
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大小:414.55KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
信号链
基础
19pdf
【FQD50N06-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FQD50N06-VB丝印:VBE1615品牌:VBsemi参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:60A-开启电阻:9mΩ@10V,11mΩ@4.5V-门源极最大电压:20V
FQD50N06VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【STN3NF06L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:STN3NF06L丝印:VBJ1638品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:7A-RDS(ON):24mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-
STN3NF06LVB
沟道
SOT223
封装
mos
datasheet
【2N7002ET1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:413.75KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:2N7002ET1G-VB丝印:VB162K品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-最大耐压:60V-最大持续电流:0.3A-开通电阻(RDS(ON)):2800mΩ@10Vgs、3000m
2N7002ET1GVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【NTMS4177PR2G-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:413.49KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NTMS4177PR2G-VB丝印:VBA2311品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-11A-开通态电阻:10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-
NTMS4177PR2GVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
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