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【APM2054NUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2054NUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V

APM2054NUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
ANT8811功率3.5W超低 EMI噪声防破音单声道AB/D类双模音频功放

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时间：2021.04.06

上传者：sandtech168

ANT8811功率3.5W超低EMI噪声防破音单声道AB/D类双模音频功放

ANT8811 音频功放
vga_core.pdf

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

vgacorepdf
【DMP6180SK3-13-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：DMP6180SK3-13-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-38A-导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V

DMP6180SK313VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STC5NF20V-VB丝印：VBC6N2022品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：20V-额定电流（Id）：4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻（RDS

STC5NF20VVB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
TRC9016NLE.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

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【NCE0103M-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NCE0103M-VB丝印：VBI1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：3.1A-静态开启电阻（RDS(ON)）：126mΩ@10V,139mΩ

NCE0103MVB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
vhp203.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

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922reva3a-smp8654.pdf

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时间：2021.09.24

上传者：Argent

FPGA是一个技术密集型的行业，没有坚实的技术功底，很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间，嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理，包括快速读懂数据手册，搜集了部分数据手

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【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-60V-最大漏电流：-38A-静态导通电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72mΩ@4

2SJ598ZE1AZVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
AECR车规普通厚膜贴片电阻规格书

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时间：2019.06.03

上传者：睿思电阻Resi

AECR车规普通厚膜贴片电阻，该电阻符合AEC-Q200汽车标准，其电气性能稳定，可靠性高。具有较好的抗硫化能力，体积小，重量轻，适应回流焊以及波峰焊。机械强度高，具有优越的高频特性。符合无卤素要求。

AECR 贴片电阻车规厚膜规格书
ANT8116功率8.5WTHD=1%防破音单声道 AB/D类双模音频功放

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时间：2021.03.31

上传者：sandtech168

ANT8116是一款超低EMI，高信噪比，防破音，单通道ClassAB/D双模音频功放。在7V电源条件下，ClassD工作模式，驱动2Ω负载可以输出8.5W功率，THD≤1%。

ANT8116 音频功放
【CEU4311-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEU4311-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-开态电阻(RDS(ON))：18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±

CEU4311VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FQPF85N06-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQPF85N06-VB丝印：VBMB1615品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V，12

FQPF85N06VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【STD10PF06T4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STD10PF06T4-VB丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-38A-静态开启电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V,72m

STD10PF06T4VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【免费】电流模式电荷泵升压器件

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时间：2020.02.26

上传者：givh79_163.com

AN05-02CN……

an05-02cn
D题-H080.doc

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

H080doc

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