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【STC5NF20V-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STC5NF20V-VB丝印:VBC6N2022品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:2个N沟道-额定电压(Vds):20V-额定电流(Id):4.8A(每个N沟道)-静态导通电阻(RDS
STC5NF20VVB
2个
沟道
TSSOP8
封装
mos
datasheet
TRC9016NLE.pdf
所需E币:0
下载:2
大小:395.65KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
TRC9016NLEpdf
【NCE0103M-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet
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大小:395.04KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NCE0103M-VB丝印:VBI1101M品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大连续电流:3.1A-静态开启电阻(RDS(ON)):126mΩ@10V,139mΩ
NCE0103MVB
沟道
SOT893
封装
mos
datasheet
vhp203.pdf
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大小:394.96KB
时间:2021.04.23
上传者:Argent
音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品,好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛,与时俱进,增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料,欢迎下载。
vhp203pdf
922reva3a-smp8654.pdf
所需E币:0
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大小:394.92KB
时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
922reva3asmp8654pdf
【2SJ598-Z-E1-AZ-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:394.55KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:2SJ598-Z-E1-AZ-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-P沟道-最大耐压:-60V-最大漏电流:-38A-静态导通电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V,72mΩ@4
2SJ598ZE1AZVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
AECR车规普通厚膜贴片电阻规格书
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下载:2
大小:393.42KB
时间:2019.06.03
上传者:睿思电阻Resi
AECR车规普通厚膜贴片电阻,该电阻符合AEC-Q200汽车标准,其电气性能稳定,可靠性高。具有较好的抗硫化能力,体积小,重量轻,适应回流焊以及波峰焊。机械强度高,具有优越的高频特性。符合无卤素要求。
AECR
贴片电阻
车规
厚膜
规格书
ANT8116功率8.5WTHD=1%防破音单声道 AB/D类双模音频功放
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下载:6
大小:393.29KB
时间:2021.03.31
上传者:sandtech168
ANT8116是一款超低EMI,高信噪比,防破音,单通道ClassAB/D双模音频功放。在7V电源条件下,ClassD工作模式,驱动2Ω负载可以输出8.5W功率,THD≤1%。
ANT8116
音频功放
【CEU4311-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:393.28KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:CEU4311-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-开态电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±
CEU4311VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【FQPF85N06-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet
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大小:392.84KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FQPF85N06-VB丝印:VBMB1615品牌:VBsemi参数说明:-极性:N沟道-额定电压:60V-最大连续漏极电流:70A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):10mΩ@10V,12
FQPF85N06VB
沟道
to220f
封装
mos
datasheet
【STD10PF06T4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:392.82KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:STD10PF06T4-VB丝印:VBE2610N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-60V-最大连续电流:-38A-静态开启电阻(RDS(ON)):61mΩ@10V,72m
STD10PF06T4VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
【免费】电流模式电荷泵升压器件
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下载:1
大小:392.63KB
时间:2020.02.26
上传者:givh79_163.com
AN05-02CN……
an05-02cn
D题-H080.doc
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大小:392.5KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
H080doc
[免费]Protel入门系列
所需E币:0
下载:2
大小:391.6KB
时间:2020.02.28
上传者:16245458_qq.com
protel布线!"#$%&'(()*+,-./01,20314.560789:;?@!"#$%&((ABCDE8FGDEHIJK7LMNOPQRS:TUVWXXYZ[\]XYZ[\]
protel
布线
吐血奉献——ARM调试笔记(免费)
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下载:7
大小:391.59KB
时间:2020.04.08
上传者:978461154_qq
07316……
07316
主板知识
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下载:4
大小:391.56KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
主板上的英文字母都代表什么1.L----电感.电感线圈2.C----电容.3.BC---贴片电容4.R----电阻5.9231芯片-----脉宽6.74门电路-----它在主板南桥旁边7.PQ----
IRLR2905ZTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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下载:0
大小:391.46KB
时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi品牌推出了一款高性能的MOS管,型号为IRLR2905ZTRPBF,丝印型号为VBE1615。这款MOS管采用N沟道设计,适用于广泛的电子应用领域。其主要特点包括耐压高达60V,最大工作电
IRLR2905ZTRPBF
VBsemi
mosfet
datasheet
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