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HX6048高性能线性充电管理控制芯片，充双节锂电池最大电流0.9A

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时间：2021.06.22

上传者：ledsuperb

HX6048高性能线性充电管理控制芯片，充双节锂电池最大电流0.9A

HX6048
模拟电子技术习题5.ppt

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时间：2021.04.25

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电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

模拟电子技术习题 5ppt
基于ADSP-BF533的MIDI吉他效果器的设计

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时间：2020.11.16

上传者：风雨欲来ds

本文首先介绍MIDI吉他效果器的作用以及市场现状，重点介绍一种基于ADSP．BF533的设计方法，包括硬件电路的设计、软件设计以及实现功能。通过高速DSP，本设计能够实时、准确检测出电吉他的音高和音长

ADSPBF533 MIDI 吉他效果器
【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

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时间：2021.05.21

上传者：sandtech168

CS5513R低功耗频率1M@1A电流DC-DC降压稳压器

CS5513R 降压稳压器
A33-Core核心板外围电路设计参考.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

A33Core 核心板外围电路设计参考 pdf
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
再上传一个，有关tvs管的资料，希望能帮助大家（免费）

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时间：2020.02.25

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tvs应用指南瞬态电压抑制二极管应用指南第一章TVS器件的特点、电特性和主要电参数一、TVS器件的特点瞬态（瞬变）电压抑制二级管简称TVS器件，在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时

应用指南
virtex_lab.doc

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

virtexlabdoc
ESP8266 SDK应用笔记固件下载协议-v1.0.pdf

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时间：2021.03.30

上传者：Argent

现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于ESP8266无线传输模块应用开发资料，欢迎下载学习。

esp8266 sdk 应用笔记固件下载协议 V10pdf
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
PSX_PS2游戏手柄机械臂控制说明书

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时间：2020.06.19

上传者：zendy_731593397

PSX_PS2游戏手柄机械臂控制说明书

PSXPS2 游戏手柄机械臂控制说明书
《Verilog硬件描述语言描述》－免费

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时间：2020.02.14

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《Verilog硬件描述语言描述》－免费,Verilog硬件描述语言描述[1]……

verilog 硬件描述
【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON

FDD6637VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STB60N06-14-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4

STB60N0614VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
BL0910物联网计量，BL0937B单相,内置振荡器,有功电能,有效值,电能计量，BL0939 内置时钟免校准计量芯片。 ...

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时间：2023.09.25

上传者：香港润芯小云

BL0937B是一颗宽量程单相多功能电能计量芯片，适用于单相插座表、单相插排、智能家电控制电路等应用，具有较高的性价比。BL0939免校准、用电安全监测、双路、可多路级联. 十相

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