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【B09N03A-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：B09N03A丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：60A-RDS(ON)：10mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门

B09N03AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4884-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:AO4884丝印:VBA3410品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):40V -额定电流(ID):12A -开通电阻(RDS(ON)

AO4884VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
高级FPGA教学实验指导书－嵌入式系统设计部分.pdf

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时间：2021.04.26

上传者：Argent

随着FPGA技术的不断发展，许多消费类产品都嵌入了FPGA程序，ZYNQ架构属于主流，搜集的部分有关FPGA学习资料，希望对您有所帮助，欢迎下载。

高级 fpga 教学实验指导书嵌入式系统设计部分 pdf
【AO4485-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4485丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；SOP8该产品

AO4485VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
UC3842隔离回扫式升压电路的设计

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时间：2019.06.10

上传者：feiniao2008

在实际应用中经常会涉及到升压电路的设计，对于较大的功率输出，如70W以上的DC／DC升压电路，由于专用升压芯片内部开关管的限制，难于做到大功率升压变换，而且芯片的价格昂贵，在实际应用时受到很大限制。考
【NIF5002NT1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:NIF5002NT1G丝印:VBJ1695品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):4A -开通电阻(RDS(O

NIF5002NT1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）

SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
【NDT3055L-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

NDT3055L详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.53Vth(V)-封装类型：

NDT3055L VBsemi SOT223 mos datasheet
FDS9945-NL VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

FDS9945-NL（VBA3638）是一款N沟道MOS型晶体管，采用SOP8封装。该产品具有60V的耐压能力和6A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在10V时为27mΩ，在4.5V时为32mΩ。其

FDS9945NL VBsemi mosfet datasheet
二次电源模块测试规范

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时间：2019.05.23

上传者：feiniao2008

1、目的规范二次电源模块的测试方法。本测试规范包括二次电源模块的测试项目、测试目的、接线图、测试方法。2、适用范围适用于二次电源模块的测试。3、引用/参考标准3.1、CISPR22-1993（96后出
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
电源完整性理论基础[免费]

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时间：2020.02.13

上传者：238112554_qq

PI&SSNwww.pcbtech.net仅供中国PCB技术网转载电源完整性理论基础------阿鸣随着PCB设计复杂度的逐步提高，对于信号完整性的分析除了反射，串扰以及EMI之外，稳定可靠的

电源
【AOD408-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD408 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-导通电阻：

AOD408VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
【FDS6673BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDS6673BZ-NL丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-11A -开通电阻(R

FDS6673BZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4953ADY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：该型号VBsemiSI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ，在

SI4953ADYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
M50195.pdf

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时间：2021.04.23

上传者：Argent

音响设备在许多娱乐场所是必备的电子产品，好的音响设备不仅在硬件电路方面要求严苛，与时俱进，增加些更优的参考设计才能满足市场需求。本人搜集了些有关音响设计的参考资料，欢迎下载。

M50195pdf

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