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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    IRLML2244TRPBF是VBsemi品牌引进的P沟道MOSFET产品,标志型号为VB2290;它采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为5
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了型号为IRLML2502TRPBF的MOS管,丝印型号为VB1240。这款MOS管属于N沟道类型,适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数,最大承受电压为20V,最大工作电流为6A。
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了型号为IRLML5203TRPBF的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    IRLML6402TRPBF是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了其最新的N沟道MOS管型号,产品编号为IRLR2705TRPBF。该产品具有优异的性能参数,适用于多种应用场景。丝印型号为VBE1638,其特点包括工作电压高达60V,最大承载电流可
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi品牌推出了一款高性能的MOS管,型号为IRLR2905ZTRPBF,丝印型号为VBE1615。这款MOS管采用N沟道设计,适用于广泛的电子应用领域。其主要特点包括耐压高达60V,最大工作电
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    时间:2020.06.24
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    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2021.03.26
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    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2020.06.24
    上传者:Argent
    有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了NDT2955MOSFET,其特征性的丝印型号为VBJ2658。这款MOSFET属于P沟道晶体管,具有出色的规格,包括最大电压等级为-60V和显著的最大电流处理能力为-6.5A。导通
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管,其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管,具备出色的性能参数。最大工作电压为20V,最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻(RD
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号NTR4503NT1G,丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点,包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的R
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    VBsemi引入高性能MOSFET型号QM4002AD(丝印为VBE1410),适用于各种电子应用,展现出色的性能特点。它具有出色的40V电压容忍度和最大50A的电流额定值,10V时的RDS(ON)值
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    RSR020N06TL是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,10V时的RDS(ON)参数为85mΩ,4.5V时为96mΩ,电压限制为20Vg
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    时间:2021.03.26
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    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),