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AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AOD603A(VBE5638)是一款N+P沟道MOS型晶体管,采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力,以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)
AOD603A
VBsemi
mosfet
datasheet
AP2301N VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AP2301N是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57mΩ(在
AP2301N
VBsemi
mosfet
datasheet
AP2310GN VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
AP2310GN是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及20Vgs(
AP2310GN
VBsemi
mosfet
datasheet
AP2625GY VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了AP2625GY型号的MOS管,其丝印型号为VB4290。这款MOS管是双P沟道晶体管,具有优异的性能参数。最大工作电压为-20V,最大工作电流为-4A。导通状态下的导通电阻(RDS
AP2625GY
VBsemi
mosfet
datasheet
APM2305AC VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为APM2305AC的MOS管,丝印型号为VB2355。该MOS管是一款P沟道型产品,适用于多种电路应用。其主要特性包括耐压高达-30V,可承受-5.6A的电流,具有低导通电阻,
APM2305AC
VBsemi
mosfet
datasheet
APM3095PUC-TRL-VB一种P沟道TO252封装MOS管
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时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
APM3095PUC-TRL(VBE2338)参数说明:P沟道,-30V,-26A,导通电阻33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.3V,封装:TO252。应用
APM3095PUCTRL
VBsemi
TO252
mos
AT89S52.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
AT89S52pdf
DM00095523.pdf
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时间:2021.09.24
上传者:Argent
FPGA是一个技术密集型的行业,没有坚实的技术功底,很难形成有竞争力的产品。从技术上来看FPGA未来的发展有广阔的空间,嵌入式开发需要了解不同领域的产品工作原理,包括快速读懂数据手册,搜集了部分数据手
DM00095523pdf
DMP2215L-7 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
DMP2215L-7是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品,丝印型号为VB2290;采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V,额定电流为-4A,RDS(ON)参数为57m
DMP2215L7
VBsemi
mosfet
datasheet
FDS4559-NL VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
FDS4559-NL(VBA5638)是VBsemi一种N+P沟道MOS型晶体管,封装为SOP8。它的产品参数包括:最大耐压为±60V,最大漏极电流为6.5A(正向)和-5A(反向),漏源电阻RDS(
FDS4559NL
VBsemi
mosfet
datasheet
(32*8)256点LCD驱动芯片VK0256C LQFP52 完全替代1622
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时间:2023.06.19
上传者:V13632814412
品牌:永嘉微电/VINKA封装:LQFP52年服务,技术支持VK0256C是一個32x8的LCD駆動器.可軟體程式控制使其適用於多樣化的LCD應用線路.僅用到3至4條訊號線便可控制LCD駆動器,除此之
328
256点
lcd
驱动芯片
VK0256C
LQFP52
H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf
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时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
H5TQ4G4863AFRRev10pdf
HS0038B.pdf
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时间:2020.06.24
上传者:Argent
有没有使用过云龙51单片机,这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料,希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
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IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器
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时间:2023.10.23
上传者:国兴顺电子郑生
IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口(HVDCP)的智能接口芯片,它能够自动识别
IPT2602
规格书
usb
快速充电
端口
控制器
IRFL9110TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了型号为IRFL9110TRPBF的MOS管,这款MOS管是一款P沟道型晶体管,工作电压可达-100V,最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻(RDS(ON))表现出色,仅为2
IRFL9110TRPBF
VBsemi
mosfet
datasheet
IRFR9120NTRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
VBsemi推出了其最新的MOS管产品,型号为IRFR9120NTRPBF,丝印型号为VBE2102M。这款MOS管属于P沟道类型,具有出色的性能特点。它支持最大-100V的耐压,能够承受高达-10A
IRFR9120NTRPBF
VBsemi
mosfet
datasheet
IRLML0060TRPBF VBsemi MOSFET Datasheet
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时间:2023.09.18
上传者:VBsemi
IRLML0060TRPBF是一款N沟道MOSFET产品,采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)参数为85mΩ(在10V下)和96mΩ(在4.5V下),以及
IRLML0060TRPBF
VBsemi
mosfet
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