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SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），

SI2308BDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）

SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用

SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
SI2323DDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI2323DDS-T1-GE3 丝印：VB2355 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-5.6A

SI2323DDST1GE3VB 一种沟道 sot23 封装 mos
SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参

SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

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SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）

SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
SIN-A33底板原理图_V1.0.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

SINA33 底板原理图 V10pdf
SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ

SSM3J327R VBsemi mosfet datasheet
SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5

SSM3J36FS VBsemi mosfet datasheet
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为

UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
VK1626最大32SEG×4COM-LCD驱动芯片(IC)资料分享

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时间：2021.11.10

上传者：crh18824662436

特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源（OSCI）•偏置电压（BIAS）固定为1/5•COM周期（DUTY）固定为1/16•内置显示RAM为48x

VK1626 最大 32SEG 4COMLCD 驱动芯片 ic 资料分享
VKL076是超低功耗LCD液晶驱动芯片-超低工作电流，低休眠电流

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时间：2021.11.30

上传者：crh18824662436

VKL076 SSOP28是字段式液晶显示驱动芯片。功能特点:★液晶驱动输出：Common输出4线；Segment输出15线★内置DisplaydataRAM(DDRAM)★内置RAM容量：

VKL076 超低功耗 lcd 液晶驱动芯片超低工作电流休眠电流
XPD767规格书支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC

XPD767 规格书支持 XPDLINK 互联 usb 双端口控制器
【15N10 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：15N10TO252-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi详细参数说明：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-额定电流：18A-静态电阻：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V-门源

15N10 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：20P03丝印：VBE2338品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-26A-开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-额定栅极-

20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压

2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet