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  • Toshiba东芝TB67S179FTG单极步进电机驱动IC中文产品规格书datasheet
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    大小：680.65KB
    时间：2024.07.18
    上传者：东芝铠侠代理
    B67S179FTG提供多种步进分辨率设置，包括：全步、半步（a和b）、四分之一步、1/8步、1/16步和1/32步分辨率。PWM控制的同步整流以实现恒定电流驱动。通过外部组件可调的固定关断时间，确保
  • 【APM1403ASC-TRL-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet
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    大小：331.05KB
    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    详细参数说明:-型号:APM1403ASC-TRL-VB-丝印:VBK2298-品牌:VBsemi-类型:P沟道-额定电压:-20V-额定电流:-3A-导通电阻:98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2
    APM1403ASCTRLVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
  • VK1625 LCD驱动芯片(ic)-3线接口，可通过指令进去省电模式
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    大小：10.11MB
    时间：2021.11.10
    上传者：crh18824662436
    特点•工作电压2.4-5.2V•内置32kHzRC振荡器（上电默认）•可外接32kHz时钟源或32.768KHz晶体振荡器•偏置电压（BIAS）固定为1/4•COM周期（DUTY）固定为1/8•内置显
    VK1625 lcd 驱动芯片 ic3 接口 可通 指令 进去 省电模式
  • XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器
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    时间：2023.10.23
    上传者：国兴顺电子郑生
    XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC
    XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
  • 【AO4611-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：AO4611丝印：VBA5638品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±60V-额定电流：6.5A/-5A-RDS(ON)：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4
    AO4611VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体
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    大小：543.29KB
    时间：2021.06.22
    上传者：东莞市惠海半导体
    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
  • 24c02.pdf
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    大小：413.41KB
    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
    有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。
    24c02pdf
  • A51.pdf
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    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
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    A51pdf
  • ad0804.pdf
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    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
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  • AM4424N-T1-PF VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AM4424N-T1-PF（VBA1311）是VBsemi一种N沟道MOS型晶体管，封装为SOP8。它的产品参数包括：最大耐压为30V，最大漏极电流为12A，漏源电阻RDS(ON)为12mΩ（在10V
    AM4424NT1PF VBsemi mosfet datasheet
  • AO3400 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    VBsemi推出了MOSFET型号AO3400，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS(ON
    ao3400 VBsemi mosfet datasheet
  • AT89S52.pdf
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    时间：2020.06.24
    上传者：Argent
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  • （32*8）256点LCD驱动芯片VK0256C LQFP52 完全替代1622
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    大小：10.44MB
    时间：2023.06.19
    上传者：V13632814412
    品牌：永嘉微电/VINKA封装：LQFP52年服务，技术支持VK0256C是一個32x8的LCD駆動器.可軟體程式控制使其適用於多樣化的LCD應用線路.僅用到3至4條訊號線便可控制LCD駆動器,除此之
    328 256点 lcd 驱动芯片 VK0256C LQFP52
  • SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
    SI2312CDST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI2323CDS-T1-GE3-VB一种P沟道SOT23封装MOS管
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    时间：2023.12.27
    上传者：VBsemi
    SI2323CDS-T1-GE3(VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用
    SI2323CDST1GE3 VBsemi sot23 mos
  • SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：239.56KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
    SI2333DST1GE3 VBsemi mosfet datasheet
  • SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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    大小：486.86KB
    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
    SI4946BEYT1E3 VBsemi mosfet datasheet
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