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【2SK3065-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2SK3065-VB丝印：VBI1695品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：5A-静态开启电阻（RDS(ON)）：76mΩ@10V,88mΩ@4.5V-门

2SK3065VB 沟道 SOT893 封装 mos datasheet
【2SK3147STL-E-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3147STL-E-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：115mΩ@1

2SK3147STLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2SK3148-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：2SK3148-VB丝印：VBMB1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：50A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(

2SK3148VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E

2SK3484ZE1AZ VBseim TO252 mos datasheet
【2SK4033-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：2SK4033丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：N沟道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252该产品具有以

2SK4033 VBsemi TO252 mos datasheet
【30N06L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：30N06L-VB-丝印：VBE1638-品牌：VBsemi-参数：N沟道、60V、45A、RDS(ON)、24mΩ@10V、28mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、1.8Vth

30N06LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【40N06 TO252-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：40N06TO252-VB丝印：VBE1638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：45A-静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@

40N06 TO252VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【44N10-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:44N10-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

44N10VB 沟道 to220 封装 mos datasheet
【4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：型号：4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道、±30V、9/-6A、RDS(ON)、15/42mΩ@10V、19/50mΩ@4.5V、20Vgs(±V)、±

4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

4800AGMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功

50P04 VBsemi TO252 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

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ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【AF2301P-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AF2301P-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-最大连续漏极电流：-4A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V，83mΩ

AF2301PVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AFN4634WSS8RG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：AFN4634WSS8RG丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源

AFN4634WSS8RGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AM2308N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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该型号AM2308N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有30V电压、6.5A电流的额定参数。其RDS(ON)在10V下为30mΩ，在4.5V下为33mΩ，适用于20V的门源极

AM2308NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM2336N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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AM2336N-T1-PF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-额定电流：6.5A-导通电阻：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.2~2.2Vt

AM2336NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【AM2358N-T1-PF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AM2358N-T1-PF-VB丝印：VB1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：4A-导通电阻：85mΩ（在10V下），96mΩ（在4.5V下）-额定输入电压：2

AM2358NT1PFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet