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    模拟电子电路学习基础ΡqΡ%qB,),KWWSZZZFFQKWWSZZZFPFXFRP(PDLOFFQ#FRP))KOGGZB#FRPΡq"Ρ%qΡqΡ%q$[[!"[++++++WtcJ+ǔ"(+*
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    企业设计技术标准-元器件降额准则深圳市企业设计技术标准元器件降额准则中国可靠性网http://www.KekaoXing.com目录1主题内容.............................
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    LTETDD与LTEFDD技术比较人民邮电/2008年/11月/20日/第007版技术专题LTETDD与LTEFDD技术比较龙紫薇中国移动通信研究院LTE系统同时定义了频分双工(FDD)和时分双工(T
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    T卡工作原理T卡因为体积小,所以在越来越多的手机设计中被采用。现结合自己接触过的几个项目中的T卡设计做一个小结。如果有不对之处,欢迎批评指正,T卡支持两种接口模式,一个是SDMODE,一个是SPIMO
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    元器件datasheet中的各种符号术语全解释(英文,超实用...,szza036b……
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    ADC-DAC应用设计宝典www.analog.eetchina.com电子工程师必备电子书ADC/DAC应用设计宝典目录第一章ADC与DAC概念……1第二章ADC与DAC原理……1-3第三章ADC与
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    场效应管基础知识线性电子电路教案第三章知识要点:场效应管场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和
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    场效应管基础知识-工作原理转帖]场效应管基础知识-工作原理|||||一、场效应管的分类||按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若||按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增
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    单片机驱动继电器,驱动继电器电路详解……
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    欠压锁定!内容引言.......................................................................1设计考虑...............
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    华为模拟电路设计本资料由中国EDA在线开发平台(www.helloeda.com)搜集整理,版权归原作者所有未经许可严禁用于商业用途中国EDA在线开发平台立足重庆,面向西南,为广大电子爱好者免费提供制
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    晶体振荡电路设计中文版在该应用手册中,我们将讨论我们推荐给您的晶振电路设计方案,并解释电路中的各个元器件的具体作用,并且在元器件数值的选择上提供指导。最后,就消除晶振不稳定和起振问题,我们还将给出一些
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    收音测试方法要旨:本文件訂立各類形機種(包括AUDIOSYSTEM、PORTABLEAUDIO、CDPLAYER、CD-R、AVRECEIVER)的電氣測試程序。2.適用範圍:注:此指引乃代替OQAG
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    DDR2LAYOUTTN-47-01DDR2DESIGNGUIDEFORTWO-DIMMSYSTEMSOverviewTechnicalNoteDDR2-533MemoryDesignGuidefor
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    I2C中文协议广州周立功单片机发展有限公司Tel:(020)3873097638730977Fax:38730925http://www.zlgmcu.comI2C总线规范目录1序言.........
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    CMOS石英晶振最优起振条件分析与电路设计CMOS石英晶振最优启振条件分析与电路设计摘要:本文基于自动控制原理,对PierceCMOS晶振电路的启振条件作了详细的分析,对电路中影响石英晶振起振的各种寄
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    高速陷波滤波器www.analog.eetchina.com高速陷波滤波器作者:BriceCarter低功耗无线应用德州仪器(TI)引言有源陷波滤波器在过去就已被广泛用来消除50到60Hz的噪声干扰,