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class d 功放资料
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上传者:二不过三
EUA2005VER0PreliminaryEUA20051.5-WMonoFilterlessClass-DAudioPowerAmplifierDESCRIPTIONTheEUA2005isahi
eua2005ver0
高频下电容使用的经验和原则(精品)
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时间:2020.02.11
上传者:238112554_qq
高频下电容使用的经验和原则1.14.1、退藕电容的一般配置原则1.电源输入端跨接10~100uf的电解电容器。如有可能,接100uf以上的更好。2.原则上每个集成电路芯片都应布置一个0.01pf的瓷片
高频
下电
容使
解析CPU制造全过程
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时间:2020.02.11
上传者:givh79_163.com
解析CPU制造全过程|解析CPU制造全过程||||CPU(Central processing unit)是现代计算机的核心部件,又称为“微处理器||(Microprocessor)”。对于PC而言,
解析
制造
全过
APPLE一款苹果电脑的原理图
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时间:2020.02.11
上传者:16245458_qq.com
APPLE一款苹果电脑的原理图,IPHONE苹果电脑电路……
iphone
苹果
电脑
PDN 设计方法.有需要的来
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时间:2020.02.11
上传者:微风DS
PDN设计方法……
设计
方法
模拟电子电路学习基础(很适合初学者)
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时间:2020.02.11
上传者:rdg1993
模拟电子电路学习基础ΡqΡ%qB,),KWWSZZZFFQKWWSZZZFPFXFRP(PDLOFFQ#FRP))KOGGZB#FRPΡq"Ρ%qΡqΡ%q$[[!"[++++++WtcJ+ǔ"(+*
模拟
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中兴设计技术标准-元器件降额准则.pdf
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时间:2020.02.11
上传者:wsu_w_hotmail.com
企业设计技术标准-元器件降额准则深圳市企业设计技术标准元器件降额准则中国可靠性网http://www.KekaoXing.com目录1主题内容.............................
企业
设计
技术
LTETDD与LTEFDD技术比较
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时间:2020.02.11
上传者:16245458_qq.com
LTETDD与LTEFDD技术比较人民邮电/2008年/11月/20日/第007版技术专题LTETDD与LTEFDD技术比较龙紫薇中国移动通信研究院LTE系统同时定义了频分双工(FDD)和时分双工(T
ltetdd
ltefdd
技术
T卡工作原理
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时间:2020.02.11
上传者:16245458_qq.com
T卡工作原理T卡因为体积小,所以在越来越多的手机设计中被采用。现结合自己接触过的几个项目中的T卡设计做一个小结。如果有不对之处,欢迎批评指正,T卡支持两种接口模式,一个是SDMODE,一个是SPIMO
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元器件datasheet中的各种符号术语全解释(英文,超实用...
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元器件datasheet中的各种符号术语全解释(英文,超实用...,szza036b……
szza036b
ADC-DAC应用设计宝典
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场效应管基础知识
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场效应管基础知识线性电子电路教案第三章知识要点:场效应管场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和
场效
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场效应管基础知识-工作原理
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场效应管基础知识-工作原理转帖]场效应管基础知识-工作原理|||||一、场效应管的分类||按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若||按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增
场效
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单片机驱动继电器
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单片机驱动继电器,驱动继电器电路详解……
驱动
继电
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欠压/过压锁定技术探讨
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欠压锁定!内容引言.......................................................................1设计考虑...............
欠压
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华为模拟电路设计教程
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华为模拟电路设计本资料由中国EDA在线开发平台(www.helloeda.com)搜集整理,版权归原作者所有未经许可严禁用于商业用途中国EDA在线开发平台立足重庆,面向西南,为广大电子爱好者免费提供制
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晶振设计电路中文版
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晶体振荡电路设计中文版在该应用手册中,我们将讨论我们推荐给您的晶振电路设计方案,并解释电路中的各个元器件的具体作用,并且在元器件数值的选择上提供指导。最后,就消除晶振不稳定和起振问题,我们还将给出一些
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