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电子元件FCO-7C-LE低EMI振荡器（7.0×5.0mm）：频率稳定性与电气特性在IP摄像头和医疗设备中的应用设计 Crystal Oscillator Redu ...

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时间：2025.07.01

上传者：FCom富士晶振

内容概要：本文档详细介绍了FCO-7C-LE系列低电磁干扰（EMI）晶体振荡器的技术规格与特性。该振荡器尺寸为7.0×5.0mm，提供16~40MHz频率范围，在标准环境下测试，支持三种供电电压（1.
电子元件FCO-5C-LE低EMI振荡器技术参数与应用：5.0×3.2mm封装在IP摄像机和医疗设备中的使用

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时间：2025.07.01

上传者：FCom富士晶振

内容概要：本文档详细介绍了FCO-5C-LE低EMI振荡器的技术规格与应用特性。该振荡器采用5.0×3.2毫米SMD封装，适用于1.8V、2.5V和3.3V的操作电压环境，具有约3dB到12dB的EM
【电子元件】FCO-3C-LE低EMI SMD晶体振荡器参数详解：尺寸3.2×2.5mm及应用场景介绍文档的核心内容， ...

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时间：2025.07.01

上传者：FCom富士晶振

内容概要：本文档详细介绍了FCO-3C-LE系列低EMISMD晶体振荡器的技术参数与应用特点。该振荡器尺寸为3.2×2.5mm，频率范围16~40MHz，支持1.8V、2.5V、3.3V三种供电电压，
电子元件领域低EMI振荡器FCO-2C-LE的技术规格与应用说明

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时间：2025.07.01

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内容概要：本文档主要介绍了FCO-2C-LE低电磁干扰（EMI）振荡器的技术规格与应用特点。该振荡器尺寸为2.5×2.0毫米，支持16至40MHz频率范围，典型频率为24和25MHz，具备良好的温度稳

电子元件领域 emi 振荡器 FCO2CLE 的技术规格应用说明
3300V60A的SiC MOSFET

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时间：2025.06.26

上传者：碳化硅MOS管和功率模块

SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、

3300V60A sic mosfet
1700V200A的SiC MOSFET

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时间：2025.06.26

上传者：碳化硅MOS管和功率模块

产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、电力电源、消防电源、电机驱动等领域。

1700V200A sic mosfet
1700V1A的SiC MOSFET

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时间：2025.06.26

上传者：碳化硅MOS管和功率模块

SiC功率器件在高效、高频、高功率和高温环境中表现出良好的性能，因此在功率电子领域得到了广泛的应用,产品广泛应用于：太阳能微逆变器、车载OBC、充电桩、UPS电源、服务器电源、工业电源、锂电池充电器、

1700V1A sic mosfet
Toshiba东芝 | 小信号和逻辑器件-客户选择指南-2025版

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时间：2025.06.26

上传者：Ethan_cao

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toshiba 东芝小信号逻辑器件客户选择指南 2025版
Toshiba东芝 | 电机驱动芯片-客户选择指南-2025版

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时间：2025.06.26

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toshiba 东芝电机驱动芯片客户选择指南 2025版
Toshiba东芝 | Mos管-客户选型手册-2025版

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时间：2025.06.26

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toshiba 东芝 mos 客户选型手册 2025版
无线通信7.0×5.0mm SMD VCTCXO频率控制与性能参数：基站和移动设备应用中的相位噪声及稳定性分析 ...

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时间：2025.06.26

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内容概要：本文档详细介绍了T-7S系列SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器）的技术规格和应用领域。该器件采用7.0×5.0×1.9mm陶瓷封装，适用于自动装配，具有紧凑轻便、低功耗的特点。工
FVT-3SVCTCXO 3.2×2.5mm 10~52MHz截断正弦波：GPS/IoT/移动设备应用规格与特性概述

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时间：2025.06.26

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内容概要：本文档详细介绍了FVT-3S系列SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器）的技术规格和应用特性。该产品具有紧凑的3.2×2.5×0.9毫米陶瓷封装，适用于低功耗、小型化和轻量化要求高的
FVT-2SVCTCXO电气规格与应用：10~52MHz剪切正弦波在GPS、物联网和移动设备中的使用

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内容概要：本文档详细介绍了FVT-2S系列的SMDVCTCXO（电压控制温度补偿晶体振荡器），其尺寸为2.5×2.0mm，频率范围在10~52MHz之间。文档提供了电气规格参数表，涵盖供电电压变化、频
【电子元件】FVT-6S电压控制温补晶体振荡器（VCTCXO）：2.0×1.6mm封装规格及应用参数详解

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时间：2025.06.26

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内容概要：本文档详细介绍了FVT-6S系列电压控制温度补偿晶体振荡器（VCTCXO）的技术规格和应用特性。该振荡器采用紧凑的2.0×1.6×0.7毫米陶瓷表面贴装封装，适用于自动组装工艺。其频率范围为
Toshiba东芝 | 隔离器和固态继电器-客户选型指南

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时间：2025.06.26

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toshiba 东芝隔离器固态继电器客户选型指南
电子元件FCO-5L差分输出晶体振荡器：5.0×3.2mm封装的高频低抖动时钟源设计与应用

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时间：2025.06.16

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内容概要：本文档详细介绍了FCO-5L系列差分输出晶体振荡器的技术规格和应用特点。该振荡器尺寸为5.0×3.2毫米，支持最高达220MHz的频率范围，具有极低的相位抖动（典型值0.15皮秒），并提供三
电子元件FCO-3L差分输出晶体振荡器：3.2×2.5mm封装的高频低抖动特性及应用

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时间：2025.06.16

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内容概要：本文档详细介绍了FCO-3L差分输出晶体振荡器的技术规格和应用特性。该器件支持LVPECL、LVDS和HCSL三种差分输出标准，频率范围为13.5MHz到220MHz，具有非常低的相位抖动（

电子元件 FCO3L 差分晶振晶体振荡器高频低抖动 3225 lvds

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