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【AOD464-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:AOD464-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:40A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,31mΩ@4.

AOD464VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SM4027PSU-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4027PSU-VB丝印：VBE2412品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-静态开启电阻(RDS(ON))：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-

SM4027PSUVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NCE4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NCE4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-类型：N+P沟道-额定电压（Vds）：±30V-最大持续电流（Id）：9A（N沟道）/-6A（P沟道）-导通电阻（RDS(ON)

NCE4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NDS351AN-NL-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：NDS351AN-NL-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：6.5A-开通电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10Vgs、33mΩ@4

NDS351ANNLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【FDC6506P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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**型号：**FDC6506P-VB **丝印：**VB4290 **品牌：**VBsemi **详细参数说明：** &nb

FDC6506PVB 2个沟道 sot236 封装 mos datasheet
【TN0200K-T1-E3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：TN0200K-T1-E3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：20V-最大电流：6A-静态开启电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V

TN0200KT1E3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
米尔这款首发的国产核心板批量上市了！全志T527.docx

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时间：2024.02.27

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米尔这款首发的国产核心板批量上市了！全志T527.docx

米尔这款首国产核心板批量上市全志 T527docx
全桥LLC 分立电感变压器计算.pdf

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时间：2024.02.27

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全桥LLC分立电感变压器计算.pdf

全桥 llc 分立电感变压器计算 pdf
基于SiC碳化硅MOS器件单相三电平 AC-DC变换器详解.pdf

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M12028 内置快充协议、Type-C输入2-4节锂电池5A大电流充电管理IC方案.docx

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目前Type-C正在成为为单节和多节电池供电设备充电的标准端口。移动蓝牙、移动电源、电动工具等应用已经从专有充电端口、传统USBA口和桶形插孔端口过渡到标准化Type-C接口。那如何通过Type-c输
LLC电源设计步骤资料

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LLC电源设计步骤资料

llc 电源设计步骤资料
IEC61850协议移植笔记.docx

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EC61850是变电站自动化系统（SAS）中通信系统和分散能源（DER）管理的国际标准。它通过标准的实现，实现了智能变电站的工程运作标准化。使得智能变电站的工程实施变得规范、统一和透明，在电力和储能系

iec61850 协议移植笔记 docx
BUCK拓扑EMI对策

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时间：2024.02.27

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BUCK拓扑EMI对策，通常可以通过以下几种方法来降低开关电源对外产生的电磁干扰。改善方法一：缩短开关电流回路，，，

buck 拓扑 emi
AI PC专题图文

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AIPC专题图文到了2024年，随着结合端侧/个人大型模型的AIPC产品真正出现，我们终于可以在个人办公环境中拥有更智能、更安全的设备。这标志着我们将能够更好地利用AI的潜力，开启一个全新的“生产力时

ai pc 专题图文
CCM BOOST PFC电路设计浅析.doc

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CCMBOOSTPFC电路设计浅析.doc

ccm boost PFC 电路设计浅析 doc
锂电池保护板电路.pdf

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时间：2024.02.27

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一个景点锂电池保护板电路图.pdf

锂电池保护板电路图锂电池
光电负阻晶体管的初步研究

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时间：2024.02.27

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光电负阻晶体管的初步研究

光电负阻晶体管初步研究