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具有可调节电阻器件和可调节电容器件的有源带通滤波器电路
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
具有可调节电阻器件和可调节电容器件的有源带通滤波器电路
各种主板芯片组块图
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
各种主板芯片组块图\
BDE-BLEM203_Datasheet_EN_V1.2.pdf
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时间:2021.03.30
上传者:Argent
现在的无线蓝牙,Zigbee产品不断涌现,做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识,BLE通信协议,网络架构,电机驱动都是常备技术课题,收集了关于BLE应用,智能门锁方面的开发资料,欢迎下载学习。
BDEBLEM203DatasheetENV12pdf
驻波与驻波电路
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
回波损耗(ReturnLoss)阻抗失配、连接器松动或断开、电缆损坏、天线失调及其他各种因素,都会使通过系统的能量减少。在这些情况下,有一部分信号能量被反射回到了信号源,我们用入射功率与反射功率之比(
无线数据收发系统资料
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时间:2019.06.05
上传者:feiniao2008
本次设计主要是利用无线收发电路,加上单片机控制与液晶显示制成一套完整的数据收发系统。考虑到目前市场上的一些需求,设计的主要要求是方案成本低,体积小,低功耗,集成度高,尽量无需调外部元件,传输时间短,接
HUAWEI PCU6000 分组控制单元 维护手册 例行维护分册
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时间:2019.06.06
上传者:东亚安防
例行维护是一种预防性的维护,它是指在设备的正常运行过程中,为及时发现并消除设备所存在的缺陷或隐患、维持设备的健康水平而对设备进行的定期检查与保养,使系统能够长期安全、稳定、可靠地运行。为了充分发挥设备
【IRF830ASTRLPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF830ASTRLPBF-VB丝印:VBL165R10品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:650V-最大电流:10A-开态电阻(RDS(ON)):1100mΩ@10V-阈值电压(Vt
IRF830ASTRLPBFVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
TD-SCDMA信令流程
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时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
编写目的本文概要描述了TD-SCDMA系统的基本信令流程,帮助读者了解Uu接口、Iub接口、Iu接口等在业务实现时的信令过程。本文设备关于协议的顺从情况,遵从大唐移动通信设备有限公司文档DTM4.38
OPT3006 超薄环境光传感器
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时间:2019.06.18
上传者:royalark_912907664
OPT3006超薄环境光传感器
OPT3006
超薄
环境光传感器
YDT2378-2011通信用240V直流供电系统
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
YDT2378-2011通信用240V直流供电系统
一种用于时间同步的CAN总线通信方法
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种用于时间同步的CAN总线通信方法
STEP-MXO2 V2.2原理图.pdf
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时间:2019.11.01
上传者:星空下的屋顶
STEP-MXO2V2.2原理图.pdf
蓝牙UWB组合模块,精准双向测距,高精度定位UWB测距模块SKU610规格书文档
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时间:2020.07.21
上传者:帘卷笙声寂
UWB模块SKU610 集成了BLE处理器nRF52832和高性能UWB收发器DW1000,内置加速度传感器,实现运动、静止不同状态下的工作模式、定位频率的智能切换。采用BLE处理器nRF5
多点无线数据传输系统资料
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时间:2019.06.06
上传者:feiniao2008
多点无线数据传输系统资料
【FQD3N50C-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FQD3N50C-VB丝印:VBE165R04品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:4A-导通电阻(RDS(ON)):2200mΩ@10V,275
FQD3N50CVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
输入8.0-100V 最大输出2A 内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122
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时间:2021.04.12
上传者:yxl13828798872
一:方案名称:【RGBCW五路调光投光灯照明方案】 输入8.0-100V 最大输出2A内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122 二:方案品牌: &nbs
【HFD4N50-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:HFD4N50-VB丝印:VBE165R04品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:650V-最大电流:4A-开态电阻(RDS(ON)):2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20V
HFD4N50VB
沟道
TO252
封装
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