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短款概念蒸汽飞机模型3D图纸.zip
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时间:2022.05.25
上传者:xyzzyxaaa
短款概念蒸汽飞机模型3D图纸.zip
短款
概念
蒸汽
飞机
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图纸
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电路模拟Multisim入门指导
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大小:702.21KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
电路模拟Multisim入门指导
一种软硬件协同设计的验证方法和装置
所需E币:3
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大小:702.07KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
一种软硬件协同设计的验证方法和装置
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:700.63KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:MDS9754URH丝印:VBA5325品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-最大耐压:±30V-最大电流:9A/-6A-导通电阻:15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ
MDS9754URH
NP
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
华为切换算法16bit排序详细说明
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大小:698.5KB
时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
切换目的切换作为无线链路的重要控制手段,能够保持MS在穿越不同的蜂窝小区时通话的连续性,减小掉话率,并能提供更好的通信质量。切换条件源小区与目标小区有邻区关系满足切换判决16bit排序(紧急切换中,目
【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:698.11KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:C3028LD丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:9A/-6A-RDS(ON):15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ/50mΩ@4.
C3028LDVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
充电电路原理图
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大小:697.9KB
时间:2023.01.06
上传者:张红川
2个珍藏充电电路原理图
充电
电路
原理图
【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:696.9KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO4616丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(
AO4616VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【MT4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:696.89KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
MT4606详细参数说明:-极性:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:9A(N沟道),-6A(P沟道)-导通电阻:15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道),19mΩ@4.5V(N沟
MT4606VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
开关电源输入滤波器的阻抗匹配
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大小:696.45KB
时间:2019.06.12
上传者:feiniao2008
摘要:在设计和选用电源滤波器的过程中系统工程师发现,加了滤波器以后作用不大,甚至会发生某些频段的噪声变大。造成该现象的主要原因之一是电源滤波器的输出阻抗和开关电源输入阻抗之间相互匹配。分析了滤波器输出
【IRFZ24NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:695.62KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRFZ24NS丝印:VBL1632品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:40A-RDS(ON):23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-
IRFZ24NSVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
碳化硅MOS应用充电桩
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大小:694.86KB
时间:2022.02.15
上传者:Eways-SIC
碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
650V 15143
DC-AC修正波逆变器 133747
移相全桥
dab
【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:694.77KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:IRFZ24SPBF-VB丝印:VBL1632品牌:VBsemi参数说明:-N沟道-额定电压:60V-最大电流:40A-RDS(ON):23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压(Vgs)范
IRFZ24SPBFVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
CC26XXMOD RGZ模块硬件手册
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大小:694.19KB
时间:2019.06.14
上传者:royalark_912907664
CC26XXMOD-RGZ模块硬件手册
CC26XXMOD
RGZ
模块
硬件手册
TLV1544CDR.pdf
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大小:693.76KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TLV1544CDRpdf
【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:693.56KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SIR802DP-T1-GE3-VB丝印:VBQA1302品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:160A-导通电阻(RDS(ON)):1.8mΩ@1
SIR802DPT1GE3VB
沟道
DFN85X6
封装
mos
datasheet
用于信号处理的定时同步方法及装置
所需E币:3
下载:0
大小:693.47KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
用于信号处理的定时同步方法及装置
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