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  • 【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：C3028LD丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A/-6A-RDS(ON)：15mΩ/42mΩ@10V，19mΩ/50mΩ@4.
    C3028LDVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 充电电路原理图
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    时间：2023.01.06
    上传者：张红川
    2个珍藏充电电路原理图
    充电 电路 原理图
  • 【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：AO4616丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；±1.65Vth(
    AO4616VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 【MT4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：696.89KB
    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    MT4606详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：9A(N沟道),-6A(P沟道)-导通电阻：15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道),19mΩ@4.5V(N沟
    MT4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 开关电源输入滤波器的阻抗匹配
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    时间：2019.06.12
    上传者：feiniao2008
    摘要:在设计和选用电源滤波器的过程中系统工程师发现,加了滤波器以后作用不大,甚至会发生某些频段的噪声变大。造成该现象的主要原因之一是电源滤波器的输出阻抗和开关电源输入阻抗之间相互匹配。分析了滤波器输出
  • 【IRFZ24NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号：IRFZ24NS丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：60V-额定电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V，27mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-
    IRFZ24NSVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • 碳化硅MOS应用充电桩
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    大小：694.86KB
    时间：2022.02.15
    上传者：Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。
    650V 15143 DC-AC修正波逆变器 133747 移相全桥 dab
  • 【IRFZ24SPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    大小：694.77KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：IRFZ24SPBF-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：40A-RDS(ON)：23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压（Vgs）范
    IRFZ24SPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • CC26XXMOD RGZ模块硬件手册
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    大小：694.19KB
    时间：2019.06.14
    上传者：royalark_912907664
    CC26XXMOD-RGZ模块硬件手册
    CC26XXMOD RGZ 模块 硬件手册
  • TLV1544CDR.pdf
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    大小：693.76KB
    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    TLV1544CDRpdf
  • 【SIR802DP-T1-GE3-VB】N沟道DFN8(5X6)封装MOS管Datasheet
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    大小：693.56KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：SIR802DP-T1-GE3-VB丝印：VBQA1302品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：160A-导通电阻（RDS(ON)）：1.8mΩ@1
    SIR802DPT1GE3VB 沟道 DFN85X6 封装 mos datasheet
  • 用于信号处理的定时同步方法及装置
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    大小：693.47KB
    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    用于信号处理的定时同步方法及装置
  • TD-SCDMA 无线接入网RRC部分
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    大小：693.35KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    当UE处于连接模式时，在发生了下列情况时，UE将进行小区更新：–当UE处于URA_PCH或CELL_PCH状态时，需要进行上行链路数据传输时–当UE处于URA_PCH或CELL_PCH状态时，需要进行
  • LIS3DH.pdf
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    大小：693.12KB
    时间：2021.03.26
    上传者：Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
    LIS3DHpdf
  • 金立GN200 原理图2.pdf
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    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • Microcontrol -- IAR430中条件断点的设置
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    时间：2019.06.28
    上传者：royalark_912907664
    Microcontrol--IAR430中条件断点的设置
  • BOSCH-会议系统方案
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    大小：692KB
    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    新一代数字会议网络系统中央控制器DCN-CCU中央控制器是自动控制的讨论，会议系统的核心。这种造型精巧的多功能设备的特点包括：控制代表的话筒，分配同声传译，进行表决--机务员控制。本控制器可以自由放置
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