原理图资料下载_第92页-面包板社区

数据储存方法及发生电源中断事件后的系统初始化的方法

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

数据储存方法及发生电源中断事件后的系统初始化的方法
PCB不良设计对印刷工艺的影响

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时间：2019.06.11

上传者：金百泽

不少PCB初学者对于设计中一些与印刷工艺相关的细节问题重视不足或易忽视，从而有可能对正在进行的印刷工艺或其它相关制造或维修工艺造成不便，影响生产的可行性、效率性和经济性。故本文将一些易被设计人员忽视或

pcb设计 cad 工艺边设计 Mark点设计焊盘设计
CAN总线测试系统及方法

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时间：2019.06.28

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CAN总线测试系统及方法
超高灵敏度,超低功耗高性能GNSS一体化模块LS-TM8N

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时间：2020.05.27

上传者：帘卷笙声寂

LS-TM8N是一款高性能GNSS一体化解决方案模块，具有超高灵敏度，超低功耗和小巧的外形。RF信号应用于模块的天线输入，并且在具有UBX协议或NMEA协议的串行接口上呈现具有位置，速度和时间信息的完

高灵敏度超低功耗高性能 gnss 一体化模块 LSTM8N
侦测5线电阻式触屏接线方式的装置与方法

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时间：2019.06.28

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侦测5线电阻式触屏接线方式的装置与方法
EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰

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时间：2019.06.25

上传者：feiniao2008

EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰
CN200780045422-操作触摸屏界面-审定授权

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

CN200780045422-操作触摸屏界面-审定授权
高速数字电路及 EMC

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时间：2019.05.27

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高速数字信号由信号的边沿速度决定，一般认为上升时间小于4倍信号传输延迟时可视为高速信号。平常讲的高频信号是针对信号频率而言的。设计开发高速电路应具备信号分析、传输线、模拟电路的知识。
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
上海贝尔PCB设计规范

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时间：2019.05.22

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上海贝尔PCB设计规范
【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

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型号：FDS8858CZ-NL丝印：VBA5311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：10A/-8A-RDS(ON)：11mΩ/21mΩ@10V，13mΩ/2

FDS8858CZNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
机房建设技术方案以及工程报价配置清单

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

数据中心基础设施的建设，很重要的一个环节就是计算机机房的建设。计算机机房工程不仅集建筑、电气、安装、网络等多个专业技术于一体，更需要丰富的工程实施和管理经验。计算机房设计与施工的优劣直接关系到机房内计
【AM4929P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AM4929P-T1-PF-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电

AM4929PT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
K810 原理图.pdf

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时间：2019.12.06

上传者：Argent

这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
一种高透明电子保护膜

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时间：2019.06.28

上传者：royalark_912907664

一种高透明电子保护膜
【STM4973-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:STM4973-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

STM4973VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AP4953M-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4953M-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4953M-VB**丝印：**VBA4338**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类

AP4953MVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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