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HW---2G3G互操作(最新版)
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时间:2019.06.05
上传者:东亚安防
2G/3G系统间互操作指的是2G/3G系统间的小区切换和小区重选3G指的是WCDMA通信系统,2G是GSM通信系统2G/3G系统间切换功能受BSC级License控制
超级全-电子元器件综合基础知识
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大小:653KB
时间:2019.06.20
上传者:feiniao2008
超级全-电子元器件综合基础知识
数据储存方法及发生电源中断事件后的系统初始化的方法
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大小:652.46KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
数据储存方法及发生电源中断事件后的系统初始化的方法
PCB不良设计对印刷工艺的影响
所需E币:1
下载:17
大小:652.22KB
时间:2019.06.11
上传者:金百泽
不少PCB初学者对于设计中一些与印刷工艺相关的细节问题重视不足或易忽视,从而有可能对正在进行的印刷工艺或其它相关制造或维修工艺造成不便,影响生产的可行性、效率性和经济性。故本文将一些易被设计人员忽视或
pcb设计
cad
工艺边设计
Mark点设计
焊盘设计
CAN总线测试系统及方法
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大小:652.09KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
CAN总线测试系统及方法
超高灵敏度,超低功耗高性能GNSS一体化模块LS-TM8N
所需E币:0
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大小:651.77KB
时间:2020.05.27
上传者:帘卷笙声寂
LS-TM8N是一款高性能GNSS一体化解决方案模块,具有超高灵敏度,超低功耗和小巧的外形。RF信号应用于模块的天线输入,并且在具有UBX协议或NMEA协议的串行接口上呈现具有位置,速度和时间信息的完
高灵敏度
超低功耗
高性能
gnss
一体化
模块
LSTM8N
侦测5线电阻式触屏接线方式的装置与方法
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大小:651.5KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
侦测5线电阻式触屏接线方式的装置与方法
EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰
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大小:650.91KB
时间:2019.06.25
上传者:feiniao2008
EMC原理传导(共模差模)辐射(近场远场)详解-潘俊峰
高精度气压计与海拔传感器HP203N的技术规格及应用
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大小:650.13KB
时间:2025.03.04
上传者:华普微HOPERF
内容概要:本文档详细介绍了高精度气压计与高度传感器(型号为HP203N)的产品特性、电气规格以及应用实例。这款传感器支持宽供电电压范围(1.8V~3.6V),提供了极小的封装尺寸(3.8×3.6×1.
高精度
气压计
传感器
CN200780045422-操作触摸屏界面-审定授权
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大小:648.74KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
CN200780045422-操作触摸屏界面-审定授权
高速数字电路及 EMC
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大小:647.37KB
时间:2019.05.27
上传者:feiniao2008
高速数字信号由信号的边沿速度决定,一般认为上升时间小于4倍信号传输延迟时可视为高速信号。平常讲的高频信号是针对信号频率而言的。设计开发高速电路应具备信号分析、传输线、模拟电路的知识。
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:645.84KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:APM4953KC-TRL-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-2个P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-7A-开通态电阻:35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V
APM4953KCTRLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
上海贝尔PCB设计规范
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时间:2019.05.22
上传者:feiniao2008
上海贝尔PCB设计规范
【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:645.53KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:FDS8858CZ-NL丝印:VBA5311品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:10A/-8A-RDS(ON):11mΩ/21mΩ@10V,13mΩ/2
FDS8858CZNLVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
机房建设技术方案以及工程报价配置清单
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时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
数据中心基础设施的建设,很重要的一个环节就是计算机机房的建设。计算机机房工程不仅集建筑、电气、安装、网络等多个专业技术于一体,更需要丰富的工程实施和管理经验。计算机房设计与施工的优劣直接关系到机房内计
【AM4929P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:643.3KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AM4929P-T1-PF-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电
AM4929PT1PFVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
K810 原理图.pdf
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下载:0
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时间:2019.12.06
上传者:Argent
这是本人经典收藏的电子类书籍,有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案,有的是参加培训时藏有的经典教程,在此电子工程专辑平台上分享,希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你,请且行且珍惜,好好收藏吧!
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