原理图资料下载_第96页-面包板社区

分析一个极简的电源电压检测电路.docx

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时间：2024.05.16

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【TK8S06K3L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：TK8S06K3L-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，85m

TK8S06K3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM7313KC-TRL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM7313KC-TRL-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管）-静态漏极-源极电阻（R

APM7313KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【APM3020PUC-TRL-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：APM3020PUC-TRL-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V

APM3020PUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
《晶体管电路设计（上册）》实验PCB板原理图20171023.rar

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时间：2023.07.21

上传者：张红川

《晶体管电路设计（上册）》实验PCB板原理图20171023.rar

晶体管电路设计实验 pcb 原理图 20171023rar
基于HC89F003实现段码液晶显示的电动车仪表盘方案简介

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时间：2019.05.27

上传者：xld0932

基于HC89F003实现段码液晶显示的电动车仪表盘方案
【AOD425-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AOD425-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-静态导通电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

AOD425VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AP40P03GH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AP40P03GH-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-40A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V，2

AP40P03GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【HAT2016RJ-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:HAT2016RJ-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.8A(其中一个通道),6.0A(另一个通道)-静态导通电阻(RDS(ON)

HAT2016RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDD6685-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：FDD6685-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V,25mΩ@4

FDD6685VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
GSM 无线接口理论

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

一、我国GSM网络的工作频段我国陆地蜂窝数字移动通信网GSM通信系统采用900MHz与1800MHz频段:GSM900MHz频段为：890~915(移动台发,基站收),935~960(基站发,移动台收
YD 5126-2005 通信电源设备安装工程施工监理暂行规定

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

YD5126-2005通信电源设备安装工程施工监理暂行规定
变压器设计总结

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时间：2019.05.24

上传者：feiniao2008

变压器的最基本型式，包括两组绕有导线之线圈，并且彼此以电感方式称合一起。当一交流电流(具有某一已知频率)流于其中之一组线圈时，于另一组线圈中将感应出具有相同频率之交流电压，而感应的电压大小取决于两线圈
【KF5N50DS-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:KF5N50DS-VB丝印:VBE165R05S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:5A-静态导通电阻(RDS(ON)):950mΩ@10V-门源电压(Vg

KF5N50DSVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
中国电信集团文件IDC机房设计规范2011

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

中国电信集团文件IDC机房设计规范2011
AM412人体红外感应传感器设计原理图及PCB文件

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时间：2023.05.26

上传者：木头1233

AM412人体红外感应传感器设计原理图及PCB文件

AM412 人体红外感应传感器设计原理图 pcb 文件