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【KF5N50DS-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:604.57KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:KF5N50DS-VB丝印:VBE165R05S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:5A-静态导通电阻(RDS(ON)):950mΩ@10V-门源电压(Vg
KF5N50DSVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
中国电信集团文件IDC机房设计规范2011
所需E币:2
下载:0
大小:604.43KB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
中国电信集团文件IDC机房设计规范2011
AM412人体红外感应传感器设计原理图及PCB文件
所需E币:5
下载:0
大小:604.42KB
时间:2023.05.26
上传者:木头1233
AM412人体红外感应传感器设计原理图及PCB文件
AM412
人体
红外感应
传感器设计
原理图
pcb
文件
【AO4826-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:603.3KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
型号:AO4826-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-2个N沟道-额定电压:60V-额定电流:6A-开通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压:1.5Vth(V)-封
AO4826VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
CDP-X77ES电原理图
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大小:603.26KB
时间:2020.09.10
上传者:samewell
CDP-X77ES电原理图
CDPX77ES
原理图
【FDS4935BZ-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:602.73KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FDS4935BZ-NL-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi**参数说明:**-极性:2个P沟道-额定电压(Vds):-30V-额定电流(Id):-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):
FDS4935BZNLVB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
DB3783 -- TouchGFX Designer software tool for easy GUI creation and code generation on STM32 microcontrollers
所需E币:3
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大小:602.34KB
时间:2019.06.14
上传者:royalark_912907664
DB3783--TouchGFXDesignersoftwaretoolforeasyGUIcreationandcodegenerationonSTM32microcontrollers
TouchGFX
GUI
stm32
【AOB470L-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:601.79KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AOB470L-VB丝印:VBL1806品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:80V-最大电流:120A-开态电阻(RDS(ON)):6mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
AOB470LVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
TOSHIBA东芝TLP2368光耦产品规格书datasheet
所需E币:0
下载:1
大小:601.61KB
时间:2024.09.12
上传者:东芝铠侠代理
高数据传输速率:典型的非归零码传输速率可达20MBd,适用于高速数据传输需求的场合。宽工作温度范围:从-40°C到125°C的工作温度范围,使其能够在各种极端环境下保持稳定运行。低输入阈值电流:最大仅
toshiba
东芝
TLP2368
光耦
产品
规格书
datasheet
数字型环境光传感器设计资料包含原理图PCB文件
所需E币:5
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大小:601.54KB
时间:2023.05.26
上传者:木头1233
数字型环境光传感器设计资料包含原理图PCB文件
数字型
环境光传感器
设计资料
包含
原理图
pcb
文件
TPS61062DRCR.pdf
所需E币:0
下载:2
大小:600.46KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TPS61062DRCRpdf
GB 13722-92 移动通信电源技术要求和试验方法
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下载:0
大小:599.98KB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
GB13722-92移动通信电源技术要求和试验方法
GB50217-94,电力工程电缆设计规范
所需E币:2
下载:0
大小:599.5KB
时间:2019.06.17
上传者:东亚安防
GB50217-94,电力工程电缆设计规范
智能电网的技术组成和实现顺序
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大小:598.65KB
时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
概述了现代电网的目标、特征、主要技术组成和实现顺序等问题。智能电网研究的4大目标是:实现电网安全稳定运行;使分布式电源得到有效的利用;提高电网资产的利用率;提高用户用电的效率、可靠性和电能质量j在技术
如何隔离I2C接口信号
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大小:597.96KB
时间:2022.01.14
上传者:Vasse
集成电路(I2C)总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法,由于其简单,已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信,可能系统中存在高电压,就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员
数字隔离
I2C
接口信号
川土微
【CHMP830JGP-A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:597.69KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:CHMP830JGP-A-VB丝印:VBA2317品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-最大连续漏极电流:-7A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):23mΩ@10V
CHMP830JGPAVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【ME20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:595.84KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:ME20P03-VB丝印:VBE2338品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-26A-开态电阻(RDS(ON)):33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±
ME20P03VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
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