原理图资料下载_第99页-面包板社区

【CEM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：CEM4946-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：6A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：27mΩ@10V，32mΩ

CEM4946VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ZXMP6A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18KTC-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@10V,57

ZXMP6A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【2N7002WT1G-VB】N沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：2N7002WT1G-VB丝印：VBK162K品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：60V-最大电流：0.35A-导通电阻（RDS(ON)）：1800mΩ@10V,2

2N7002WT1GVB 沟道 SC703 封装 mos datasheet
【AO4438-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4438-VB丝印：VBA1630品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-最大耐压：60V-最大电流：7.6A-静态开启电阻(RDS(ON))：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-门源极电

AO4438VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRLR3103TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRLR3103TRPBF丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：60A-RDS(ON)：10mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：

IRLR3103TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NTF3055-100T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTF3055-100T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：4A-RDS(ON)：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压（Vg

NTF3055100T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【FDS9926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FDS9926A-NL-VB丝印：VBA3222品牌：VBsemi参数：-2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：8A-开通态电阻：15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12

FDS9926ANLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
直放站技术要求

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

直放站技术要求－－行业执行标准
BH1750光照传感器模块设计包含原理图及PCB文件

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时间：2023.05.26

上传者：木头1233

BH1750光照传感器模块设计包含原理图及PCB文件

BH1750 光照传感器模块设计包含原理图 pcb 文件
【IRF7470TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF7470TRPBF丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；SOP8

IRF7470TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
小熊派主板原理图

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时间：2023.01.09

上传者：张红川

小熊派主板技术原理图说明

小熊派主板原理图
弱电系统工程项目招标书

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

1500吨/年多晶硅项目弱电项目工程
智能化弱电集成施工组织设计方案(最全)

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时间：2019.06.17

上传者：东亚安防

XXXXX高层住宅楼智能化弱电系统工程”施工组织设计是按贵方提供的智能化弱电系统设计图，按现行的国家施工验收规程规范、工程质量评定标准、施工操作规程、成都市政府的有关规定，再结合我公司的施工能力、技术
【TPC8207-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：TPC8207-VB丝印：VBA3222品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：20V-最大电流：8A-RDS(ON)：15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V-门源

TPC8207VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
Fuhome远程控制终端原理图.pdf

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时间：2021.04.02

上传者：Argent

电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

Fuhome 远程控制终端原理图 pdf
碳化硅MOS应用特种电源

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 特种电源
【IRF9310TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9310TRPBF-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

IRF9310TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet

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