原理图资料下载_第98页-面包板社区

电容充放电产生方波,再经积分器转成三角波,再经微分器转成方波proteus仿真资料

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时间：2019.06.06

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电容充放电产生方波,再经积分器转成三角波,再经微分器转成方波proteus仿真资料
CAN总线网络控制方法及CAN总线网络

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时间：2019.06.28

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CAN总线网络控制方法及CAN总线网络
WLAN服务技术介绍

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时间：2019.06.03

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WLAN（WirelessLocalAreaNetwork，无线局域网）技术是当今通信领域的热点之一，和有线相比，无线局域网的启动和实施相对简单，维护的成本低廉，一般只要安放一个或多个接入点设备就可建
ISO FDIS 26262-8-2011-Supporting processes

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时间：2019.06.17

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ISO26262Part8：支持过程

iso FDIS 26262
【IRF8721TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：IRF8721TRPBF-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：12A-静态开启电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@

IRF8721TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
基于CAN总线级联的多电机控制同步装置

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时间：2019.06.28

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基于CAN总线级联的多电机控制同步装置
【APM3055LUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：APM3055LUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：70A-开态电阻(RDS(ON))：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vg

APM3055LUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
穷移动通信之理

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时间：2019.06.03

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移动通信的一个重要基础是无线电波的传播，无线电波通过多种方式从发射天线传播到接收天线，我们按照无线电波的波长人为地把电波分为长波（波长1000米以上），中波（波长100-1000米），短波（波长10-
【PV600BA-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PV600BA-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：12A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5

PV600BAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
软硬件协调处理的自诊断系统和方法

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时间：2019.06.28

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软硬件协调处理的自诊断系统和方法
AT89C52-DATASHEET.pdf

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时间：2021.09.26

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分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

AT89C52DATASHEETpdf
CC2530底板.pdf

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时间：2021.03.30

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现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

cc2530 底板 pdf
【IRF7241TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7241TRPBF-VB丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-40V-最大电流：-11A-导通电阻（RDS(ON)）：13mΩ@10V,1

IRF7241TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
广州移动直放站告警接收系统

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

广州移动直放站告警接收系统
TCS3200颜色传感器模块参考代码原理图文档资料

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时间：2023.05.26

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TCS3200颜色传感器模块参考代码原理图文档资料

TCS3200 颜色传感器模块参考代码原理图文档资料
一种异构软硬件协同开发的方法及系统

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时间：2019.06.28

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一种异构软硬件协同开发的方法及系统
【NTF3055L108T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTF3055L108T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大电流：4A-开通态电阻：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-阈

NTF3055L108T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet