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工业级液晶显示控制芯片RA8889ML3N原理图

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时间：2023.11.28

上传者：瑞福科技

TFT-LCD液晶显示控制芯片RA8889ML3N的优势：低功耗及功能强大：这款芯片最大支持分辨率为1366x2048，内置128MbSDRAM，可为内容显示进行快速刷新，同时内置视频解码单元，支持J

工业级液晶显示控制芯片 RA8889ML3N 原理图
Wayking RadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

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时间：2023.11.28

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WaykingRadarSensors_LRR7710_中英文产品手册

Wayking RadarSensors LRR7710 产品手册
RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

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RadarSensors_ARS404-21_cn数据手册

RadarSensors ARS40421 数据手册
RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

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RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册

RadarSensors ARS308 数据手册
RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

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时间：2023.11.28

上传者：雷达客

RadarSensors_ARS408-21_cn数据手册

RadarSensorsARS40821cn 数据手册
E22-400T22S产品规格书

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时间：2023.11.10

上传者：tkoux

E22-400T22S产品规格书消息介绍资料

E22400T22S 产品规格书
XPD767规格书支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC

XPD767 规格书支持 XPDLINK 互联 usb 双端口控制器
XPD738规格书 USB双口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD738是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）2.0/3.0以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP/SCP/HVSCP快充协议、三星A

XPD738 规格书 usb 双口控制器
IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口（HVDCP）的智能接口芯片，它能够自动识别

IPT2602 规格书 usb 快速充电端口控制器
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】

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时间：2023.10.13

上传者：面包板社区管理员

SCH_Schematic1【拆解老五家的垃圾电源（riesba）进行分析】原题地址：https://mbb.eet-china.com/forum/topic/134305_1_1.ht
IPT2601规格书 USB快速充电端口控制器

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时间：2023.10.09

上传者：国兴顺电子郑生

IPT2601是一款低成本的USB专用快速充电端口控制器已满兼容BC1.2和其他非BC1.2YD/T1591-2009苹果®和Samsung®充电规范，HiSilicon®Fa

IPT2601 规格书 usb 快速充电端口控制器
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20

ZXMP10A17GTA VBsemi mosfet datasheet
ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。

ZXMN10A07ZTA VBsemi mosfet datasheet
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为

UT2301GAE3R VBsemi mosfet datasheet
SUD50P06-15-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作

SUD50P0615GE3 VBsemi mosfet datasheet
STU417S VBsemi MOSFET Datasheet

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时间：2023.09.18

上传者：VBsemi

VBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(

STU417S VBsemi mosfet datasheet

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