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晶台光耦KL8171晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL8171提供隔离反馈，逻辑电路之间的接口，带基极引脚高可靠输出光耦；由一个红外发射二极管,光耦合到光电晶体管构成，它们采用4引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项。产品特点Productfe

晶台光耦 8171 晶体管产品规格书
晶台光耦KL357NH晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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KL357NH系列包含一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装。产品特点Productfeatures•不含卤素Halogensfree(Br<900

晶台光耦 357NH 晶体管光耦高温特规产品规格书
晶台光耦KLM80L高速光耦产品规格书

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KLM80L由一个红外发射二极管和一个CMOS检测器集成电路组成。这些器件采用5脚SOP封装，适用于表面贴装技术。产品特点Productfeatures•高速10MBit/sHighspeed10MB

晶台光耦 KLM80L 高速光耦产品规格书
晶台光耦KLM81L高速光耦产品规格书

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KLM81L由一个红外发射二极管和一个CMOS检测器集成电路组成。这些器件采用5脚SOP封装，适用于表面贴装技术。产品特点Productfeatures•高速10MBit/sHighspeed10MB

晶台光耦 KLM81L 高速光耦产品规格书
KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦高温特规产品规格书
晶台光耦KLT3052可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLT3052系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3052 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3053可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3053系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3053 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3021可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLT3021系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3021 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3022可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3022系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3022 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3051可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3051系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3051 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3023可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3023系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3023 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KL357NL晶体管光耦(小电流特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL357NL系列包含一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装。产品特点Productfeatures•不含卤素Halogensfree(Br<900

晶台光耦 357NL 晶体管光耦小电流特规产品规格书
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：MDS9754URH丝印：VBA5325品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N+P沟道MOSFET-最大耐压：±30V-最大电流：9A/-6A-导通电阻：15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ

MDS9754URH NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【摄影补光灯照明方案】24V 2A无频闪线性调光 LED台灯驱动IC芯片FP7102

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时间：2021.04.12

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FP7102是一款LED恒流控制芯片，工作电压范围从3.6V到28V，占空比从0-100%，目前主要应用于安防大功率红外LED驱动（多灯，阵列式二代，三代),转换效率高达90%，LED电流精度控制在±
如何隔离I2C接口信号

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时间：2022.01.14

上传者：Vasse

集成电路（I2C）总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法，由于其简单，已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信，可能系统中存在高电压，就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员

数字隔离 I2C 接口信号川土微
【IRF7470TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF7470TRPBF丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；SOP8

IRF7470TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet