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【FDG6321C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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FDG6321C详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：2.5A/-1.5A-导通电阻：130mΩ/230mΩ@4.5V,160mΩ/280mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs

FDG6321C VBsemi SC706 mos datasheet
VBZA9945微碧半导体（VBsemi）N沟道SOP8封装MOSFET

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时间：2023.08.16

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VBZA9945是微碧半导体（VBsemi）一款N沟道SOP8封装的MOSFET产品型号

VBZA9945 微碧 VBsemi n沟道 SOP8 mosfet
【DMC2038LVT-7-F-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DMC2038LVT-7-F(VB5222)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±20V；最大电流：7A/-4.5A；导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V；门源电压

DMC2038LVT7F NP VBsemi sot236 mos datasheet
【APM2701ACC-TRG-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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APM2701ACC-TRG(VB5222)参数说明：N+P沟道，±20V，7/-4.5A，导通电阻20/70mΩ@4.5V，29/106mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压0.71/

APM2701ACCTRG NP VBsemi sot236 mos datasheet
【SUD50P04-08-GE3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-65A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5

SUD50P0408GE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【SUD50P04-09L-E3-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SUD50P04-09L-E3是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-40V-最大漏极电流：-65A-导通时的电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-栅极电压（Vg

SUD50P0409LE3 VBsemi TO252 mos datasheet
【SI1967DH-T1-GE3-VB】2个P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-1.5A-导通电阻：230mΩ@4.5V,276mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：

SI1967DHT1GE3 VBsemi SC706 mos datasheet
【IRF7343TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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IRF7343TRPBF(VBA5638)参数说明:极性：N+P沟道；额定电压：±60V；最大电流：6.5A/-5A；导通电阻：28mΩ/51mΩ@10V,34mΩ/60mΩ@4.5V；门源电压范围：

IRF7343TRPBF NP VBsemi SOP8 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
【STS4DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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STS4DNF60L(VBA3638)参数说明：2个N沟道，60V，6A，导通电阻27mΩ@10V，32mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1.5V，封装：SOP8。应用简介：STS4DNF6

STS4DNF60L VBsemi SOP8 mos datasheet
CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

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时间：2023.06.28

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CS5260设计方案|AG9300替代方案|CS5260Type-C转VGA方案

CS5260 设计方案 AG9300 替代方案 CS5260TypeC vga 方案
【MTD6P10ET4-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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MTD6P10ET4 VBsemi TO252 mos datasheet
【AO6604-VB】N+P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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AO6604详细参数说明：-极性：N+P沟道-额定电压：±20V-额定电流：7A/-4.5A-导通电阻：20mΩ/70mΩ@4.5V,29mΩ/106mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值

AO6604 NP VBsemi sot236 mos datasheet
【FDG6332C-VB】N+P沟道SC70-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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FDG6332C(VBK5213N)参数说明：N+P沟道，±20V，2.5/-1.5A，导通电阻130/230mΩ@4.5V，160/280mΩ@2.5V，门源电压范围20V(±V)，可调阈值电压范围

FDG6332C NP VBsemi SC706 mos datasheet
【IRLML0100TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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IRLML0100TRPBF(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：

IRLML0100TRPBF VBsemi sot23 mos datasheet
【BSH114-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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BSH114(VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介：BSH114是一

BSH114 VBsemi sot23 mos datasheet
【TM2314FN-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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TM2314FN(VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。应用简介：TM2314FN

TM2314FN VBsemi sot23 mos datasheet

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