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SI2305DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
SI2305DST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2308BDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），
SI2308BDST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2312CDS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SI2312CDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为20V，额定电流为6A，RDS(ON)参数为24mΩ（在4.5V下）和33mΩ（在2.5V下）
SI2312CDST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI2333DS-T1-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参
SI2333DST1GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
SI4946BEY-T1-E3 VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SI4946BEY-T1-E3（VBA3638）是一款N沟道MOS型号，封装为SOP8。该产品具有以下参数：工作电压为60V，最大电流为6A，开通电阻为27mΩ（在10V下），32mΩ（在4.5V下）
SI4946BEYT1E3
VBsemi
mosfet
datasheet
SSM3J327R VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57mΩ
SSM3J327R
VBsemi
mosfet
datasheet
SSM3J36FS VBsemi MOSFET Datasheet
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时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在2.5
SSM3J36FS
VBsemi
mosfet
datasheet
STU417S VBsemi MOSFET Datasheet
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大小：421.45KB
时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
VBsemi引入了STU417S型号的MOS管产品，其丝印型号为VBE2317。这款P沟道MOS管在电子应用领域中具有出色性能。它能够承受最高-30V的电压和-40A的电流。在10V电压下，其RDS(
STU417S
VBsemi
mosfet
datasheet
SUD50P06-15-GE3 VBsemi MOSFET Datasheet
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大小：365.03KB
时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
VBsemi推出了型号为SUD50P06-15-GE3的MOS管，丝印型号为VBE2625。这款MOS管属于P沟道类型，适用于各种电路应用。它具有优越的性能参数，包括最大承受电压达到-60V，最大工作
SUD50P0615GE3
VBsemi
mosfet
datasheet
UT2301G-AE3-R VBsemi MOSFET Datasheet
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大小：239.46KB
时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
UT2301G-AE3-R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为
UT2301GAE3R
VBsemi
mosfet
datasheet
ZXMN10A07ZTA VBsemi MOSFET Datasheet
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大小：211.13KB
时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型号的MOS管，该产品以VBI1101M为丝印型号。这款MOS管属于N沟道型晶体管，具备出色的性能指标。它的最大工作电压可达100V，最大工作电流为3.1A。
ZXMN10A07ZTA
VBsemi
mosfet
datasheet
ZXMP10A17GTA VBsemi MOSFET Datasheet
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大小：408.9KB
时间：2023.09.18
上传者：VBsemi
VBsemi推出了型号为ZXMP10A17GTA的MOS管，这款MOS管是一款P沟道型晶体管，工作电压可达-100V，最大工作电流为-3A。其在导通状态时的导通电阻（RDS(ON)）表现出色，仅为20
ZXMP10A17GTA
VBsemi
mosfet
datasheet
IPT2602规格书 USB 快速充电端口控制器
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时间：2023.10.23
上传者：国兴顺电子郑生
IPT2602是一款同时支持华为FCP协议、高通QuickCharge2.0/3.0A/B类规范、三星AFC协议以及MTKPE+协议的USB高压专用充电端口（HVDCP）的智能接口芯片，它能够自动识别
IPT2602
规格书
usb
快速充电
端口
控制器
XPD767规格书 支持 XPD-LINK™互联 USB 双端口控制器
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大小：1.08MB
时间：2023.10.23
上传者：国兴顺电子郑生
XPD767是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD）3.0/2.0以及PPS、QC3.0/2.0CLASSB快充协议、华为FCP/SCP快充协议、三星AFC快充协议、BC
XPD767
规格书
支持
XPDLINK
互联
usb
双端口
控制器
【2SK3484-Z-E1-AZ-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间：2023.12.27
上传者：VBsemi
2SK3484-Z-E1-AZ参数：N沟道,100V,18A,RDS(ON)115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),TO252应用简介：2SK3484-Z-E
2SK3484ZE1AZ
VBseim
TO252
mos
datasheet
【2V7002KT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小：279.67KB
时间：2023.12.27
上传者：VBsemi
2V7002KT1G参数：N沟道,60V,0.3A,RDS(ON)2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V),1.6Vth(V),SOT23应用简介：2V7002KT1G是一款适
2V7002KT1G
VBsemi
sot23
mos
datasheet
【50P04-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小：303.33KB
时间：2023.12.27
上传者：VBsemi
50P04(VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。应用简介：50P04适用于高功
50P04
VBsemi
TO252
mos
datasheet
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