电源/新能源
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宽禁带联盟 2025-5-28 11:33
动力总成功率半导体解析 | IGBT, SiC Mosfet, GaN HEMT半导体工作原理
导言: Si基IGBT在电力电子应用行业占据主导地位,比如 不间断电源、工业电机驱动、有轨电车以及电动汽车( EV) 等 ; 市场对更小型化产品的需求,使得碳化硅( S ...
丙丁先生 2025-5-26 05:51
原创 正负直流12伏 通常用于哪些领域
正负直流12伏(±12V)是一种常见的电源电压规格,广泛应用于多个领域,以下是一些主要的应用场景: 1. 电子设备与仪器仪表 运算放大器:许多模拟电 ...
宽禁带联盟 2025-5-7 16:16
宽禁带科技论|西湖大学:开发新型碳化硅超透镜,有望解决高功率激光领域热管理难题
西湖大学仇旻教授课题组成功开发出一种新型的同质碳化硅(4H-SiC)超透镜,为解决高功率激光加工中的热漂移问题提供了全新的解决方案。 与传统商用物镜相比, ...
liweicheng 2025-5-5 18:36
原创 【拆解】多功能电锅,又长知识了
多功能电锅长什么样子,主视图如下图所示。 侧视图如下图所示。 型号JZ-18A,额定功率600W,额定电压220V,产自潮州市潮安区彩塘镇精致电子配件厂,铭 ...
言必信 2025-5-5 17:27
电源滤波器频率选择要点
在电子设备和电力系统中,电源滤波器通过电感、电容等元件,利用其对不同频率信号的阻抗特性,实现滤波功能,衰减干扰信号,保障设备正常运行。选择合适频率的 ...
CINNOResearch 2025-4-28 16:17
“芜限新能,瑞见未来”——走进iCAR奇瑞新能源活动在芜湖高新区圆满落幕
2025年4月25日,由CINNO Research主办的“芜限新能,瑞见未来”——走进iCAR奇瑞新能源活动,于芜湖高新区科技产业园会议中心成功举办。来自芜湖市及高新区管委 ...
言必信 2025-4-23 17:47
电源滤波器单级与双级的区别
​ 在电子设备的电源系统中,电源滤波器起着至关重要的作用,它能够有效抑制电网中的电磁干扰,保障设备的稳定运行和信号的准确传输。而电源滤波器有单级与双 ...
宽禁带联盟 2025-4-23 10:21
投资3.1亿元,英飞凌无锡功率半导体项目扩产
4月15日,上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司发布了关于其无锡扩建功率半导体模块产线项目的环境影响评价(环评)公告。此次扩建项目拟新增总投资3.1 ...
宽禁带联盟 2025-4-22 09:52
武大-中国科大团队演示了GaN器件的新型温度监测技术
基于多波长激光的瞬态热反射技术可对GaN器件进行准确、实时的沟道温度监测 武汉大学(WHU)、中国科学技术大学(USTC)、工业和信息化部电子第五研究所(CE ...
宽禁带联盟 2025-4-21 09:35
【成员风采】纳米铜烧结技术在SiC功率模块与散热器互连中应用优势与挑战
随着以SiC为代表的第三代半导体快速发展,电力电子器件向新能源汽车、轨道交通等高压高电流应用场景加速渗透,对功率模块的高功率密度、高可靠性和高寿命提出了 ...
宽禁带联盟 2025-4-21 09:29
宽禁带科技论|深圳平湖实验室与西安电子科技大学团队:多体效应对 β-(AlGa)₂O₃/Ga₂O₃量子级联结构特性的影响
由深圳平湖实验室和西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 The impact of many-body effects on the propert ...
宽禁带联盟 2025-4-18 11:11
英诺赛科/英飞凌GaN创新:1200V;集成二极管
4月14日,英诺赛科与英飞凌先后发布GaN创新产品,分别以高压平台突破与集成化方案推动行业技术迭代: ● 英诺赛科:1200V氮化镓产品实现量产,瞄准800V新能 ...
言必信 2025-4-17 17:28
电源滤波器在长期使用过程中,其耐压性能是否会有所变化
电源滤波器在长期使用过程中,其耐压性能会发生变化,主要体现在以下几个方面: 一、元件老化 电容老化:电容在长期使用中,受电应力和热应力影响,绝缘材 ...
宽禁带联盟 2025-4-17 10:09
【成员风采】大连理工大学梁红伟团队在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展
近日,大连理工大学集成电路学院梁红伟教授课题组在OVPE外延Ga2O3厚膜及缺陷形成机理研究方向取得新进展,以OVPE外延方法在(010)面实现10μm以上Ga2O3 ...
宽禁带联盟 2025-4-17 10:04
宽禁带科技论|西安电子科技大学:1.96 kV p-Cr₂O₃/β-Ga₂O₃异质结二极管,理想因子1.07
由西安电子科技大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 1.96 kV p-Cr2O3/β-Ga2O3 heterojunction diodes with an ideality f ...
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