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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • 基于SDI5229TS的额温枪设计方案
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    时间：2020.11.25
    上传者：solidic
    本方案讲述一款国产集成24位ADC的SOC芯片SDI5229TS开发的额温枪方案，该SOC芯片内置3通道24位Sigma-Delta高精度低电压24位ADC、4COM*20SEG液晶驱动、30K字节F
    额温枪方案 额温枪设计 体温枪方案 体温检测仪方案 额温枪芯片 SDI5229TS
  • 华为CAT5E网线电气性能测试指标及测试方法
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    时间：2019.05.27
    上传者：feiniao2008
    华为公司使用的网线是按照TIA/EIA568-B设计制造，在使用FLUKE测试仪进行测试时，请选择TIACAT5eChannel类别进行测试。TIA/EIA568-B标准中要求的网线电气性能数据都已经
  • keil使用技巧及其实践
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    这是一本关于Intel80C51以及广大的51系列单片机的书这本书介绍给读者一些新的技术使你的8051工程和开发过程变得简单请注意这本书的目的可不是教你各种8051嵌入式系统的解决方法为使问题讨论更加
  • 平板电脑内存故障分析
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    时间：2019.05.21
    上传者：qijie72
    平板电脑内存故障分析
    电脑内存
  • 碳化硅MOS应用 特种电源
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    时间：2022.01.27
    上传者：Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
    碳化硅 mos 特种电源
  • 数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图
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    时间：2021.03.05
    上传者：西风瘦马
    数控恒压恒流电源设计解决方案附原理图
    数控 恒压 恒流电源 设计解决方案 原理图
  • CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路
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    时间：2022.02.24
    上传者：qq2755130042
    CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图
    CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
  • 基于LM2576的开关电源设计（原理图、PCB源文件）.zip
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    时间：2021.04.26
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻
    基于 lm2576 开关电源设计 原理图 pcb 源文件 Zip
  • 分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯 LED照明
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    时间：2021.03.29
    上传者：东莞市惠海半导体
    分享一款降压LED恒流驱动芯片-主要应用在汽车照明、LED摩托车、电动车灯LED照明
  • PCB主要制程工艺能力介绍
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    时间：2019.06.13
    上传者：feiniao2008
    PCB主要制程工艺能力介绍
  • 数字存储示波器
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    时间：2019.06.11
    上传者：东亚安防
    数字存储示波器是20世纪７０年代初发展起来的一种新型示波器。这种类型的示波器可以方便地实现对模拟信号波形进行长期存储并能利用机内微处理器系统对存储的信号做进一步的处理，例如对被测波形的频率、幅值、前后
  • 1放大电路基础计算类
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    三种电路:共基,共发,共集以典型的共发射极为例:利用基极电流对集电极电流的控制作用可以实现放大作用(一)共发射极电路:T：NPN型晶体管,放大的核心部件EC：集电极回路直流电源提供C结反偏RC：集电极
  • 各国电压和插头标准
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    时间：2019.06.27
    上传者：忆轻狂
    各国电压和插头标准，包含尺寸图
    插头
  • H桥工作原理.doc
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    工作原理 doc
  • 深圳星河工厂工艺制程能力
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    时间：2019.06.13
    上传者：feiniao2008
    深圳星河工厂工艺制程能力
  • SIC MOS光伏储能
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    时间：2022.01.21
    上传者：Eways-SIC
    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、
  • 数据采集原理+西北工业大学出版社
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    时间：2019.06.10
    上传者：东亚安防
    数据采集原理+西北工业大学出版社
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