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RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册
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时间:2023.11.28
上传者:雷达客
RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册
RadarSensors
ARS308
数据手册
CDMA原理a
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下载:2
大小:542.5KB
时间:2019.06.03
上传者:东亚安防
CDMA系统的主要优点CDMA系统采用码分多址的技术及扩频通信的原理,使得可以在系统中使用多种先进的信号处理技术,为系统带来许多优点。大容量根据理论计算及现场试验表明,CDMA系统的信道容量是模拟系统
TC429.pdf
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时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TC429pdf
小尺寸高集成蓝牙4.2低功耗模块,串口透明传输物联网蓝牙模块
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时间:2020.07.07
上传者:帘卷笙声寂
SKB369A是一款高度集成的蓝牙4.2低功耗模块,专为无线2.4GHzISM高速率传输设计!SKB369A支持ANT协议。 &n
中兴移动通信知识培训教程
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时间:2019.06.04
上传者:东亚安防
移动通信概述随着社会的进步、经济和科技的发展,特别是计算机、程控交换、数字通信的发展,近些年来,移动通信系统以其显著的特点和优越性能得以迅猛发展,应用在社会的各个方面,到目前为止,全球移动用户超过1亿
你了解芯片级维修吗?(2)
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时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
下面看一下一些重量级的设备:锡炉,可以将锡常年保持在高温液化状态。银色液态锡特别像水银。锡炉主要用来拆装一些插件,比如端口、AGP和PCI插槽、电容等。将需要加热的部位的大致面积在一张纸上剪出来,然后
90W-Single PFC-Flyback-Adapter
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时间:2019.06.11
上传者:feiniao2008
90W单级PFC反激电路适配器的设计
8''XGA EJ080NA-04B.pdf
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大小:539.9KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
8XGA
EJ080NA04Bpdf
多屏同步控制方法及系统
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时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
多屏同步控制方法及系统
【NCE0117-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:539.38KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NCE0117-VB丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:100V-最大电流:18A-开态电阻(RDS(ON)):127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs
NCE0117VB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【SI4920DY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:538.8KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:SI4920DY-T1-E3丝印:VBA3316品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:2个N沟道MOSFET-最大耐压:30V-最大电流:8.5A-导通电阻:20mΩ@10V,12mΩ@4.5
SI4920DYT1E3VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AOD417-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AOD417-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi详细参数说明:-极性:P沟道-最大耐压:-30V-最大电流:-40A-导通电阻:18mΩ(在10V电压下),25mΩ(在4.5V电压下)-
AOD417VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
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时间:2019.06.13
上传者:feiniao2008
200910190155-三电平LLC变换器的PWM控制方法
【SI4953DY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.01.03
上传者:VBsemi
型号:SI4953DY-T1-E3丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-频道类型:2个P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-RDS(ON):35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电
SI4953DYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【AO4812-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4812-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数:-沟道类型:2个N沟道-最大耐压:30V-最大持续电流:6.8A(在20Vgs时)-最大脉冲电流:6.0A(在20Vgs时)-开通电
AO4812VB
2个
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【SI9945AEY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
SI9945AEY-T1-E3(VBA3638)参数说明:极性:2个N沟道;额定电压:60V;最大电流:6A;导通电阻:27mΩ@10V,32mΩ@4.5V;门源电压范围:20Vgs(±V)阈值电压:
SI9945AEYT1E3
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【IRF7314TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
IRF7314TRPBF详细参数说明:-极性:2个P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-7A-导通电阻:35mΩ@10V,48mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(
IRF7314TRPBF
VBsemi
SOP8
mos
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