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TOSHIBA东芝TB6612FNG电机驱动IC中文产品部规格书datasheet

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时间：2024.06.18

上传者：东芝铠侠代理

TB6612FNG是一款硅单片集成电路，旨在高效精确地驱动双直流电机。以下是其一些突出的特点：电源和输出规格：电源电压：该IC的最大VM为15V。输出电流：每通道提供1.2A的连续输出电流，峰值电流可
【BUK7675-55A-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：BUK7675-55A-VB丝印：VBL1632品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道-额定电压（Vds）：60V-最大持续电流（Id）：40A-导通电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V-门

BUK767555AVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
esp-wroom-32_datasheet_cn.pdf

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时间：2021.03.30

上传者：Argent

现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于ESP8266无线传输模块应用开发资料，欢迎下载学习。

espwroom32datasheetcnpdf
晶台光耦KL357NL晶体管光耦(小电流特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL357NL系列包含一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装。产品特点Productfeatures•不含卤素Halogensfree(Br<900

晶台光耦 357NL 晶体管光耦小电流特规产品规格书
平板电脑内存故障分析

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时间：2019.05.21

上传者：qijie72

平板电脑内存故障分析

电脑内存
芯片组块图

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

INTEL815G芯片组块图INTEL845PE芯片组块图^
Iphone客户端设置说明

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

Iphone客户端设置说明首先需要下载手机客户端软件，打开手机软件商店“AppStore”设置菜单内填写IP地址（或者域名）、端口号、用户名、密码，点击“Back”返回主界面
【FDD8424H-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

丝印：VBE5415品牌：VBsemi 型号：FDD8424H-VB 参数： -沟道类型：N+P沟道-最大电压：±40V-最大电流：50A/-50A-开通电阻：15mΩ@

FDD8424HVB NP 沟道 TO2525 封装 mos datasheet
AT070TN93 V.2 Pre(V02).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

AT070TN93 V2 PreV02pdf
各种主板芯片组块图

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

各种主板芯片组块图\
BDE-BLEM203_Datasheet_EN_V1.2.pdf

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时间：2021.03.30

上传者：Argent

现在的无线蓝牙，Zigbee产品不断涌现，做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识，BLE通信协议，网络架构，电机驱动都是常备技术课题，收集了关于BLE应用，智能门锁方面的开发资料，欢迎下载学习。

BDEBLEM203DatasheetENV12pdf
【IRF830ASTRLPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF830ASTRLPBF-VB丝印：VBL165R10品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：10A-开态电阻(RDS(ON))：1100mΩ@10V-阈值电压(Vt

IRF830ASTRLPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
YDT2378-2011通信用240V直流供电系统

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时间：2019.06.18

上传者：东亚安防

YDT2378-2011通信用240V直流供电系统
蓝牙UWB组合模块,精准双向测距,高精度定位UWB测距模块SKU610规格书文档

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

UWB模块SKU610 集成了BLE处理器nRF52832和高性能UWB收发器DW1000，内置加速度传感器，实现运动、静止不同状态下的工作模式、定位频率的智能切换。采用BLE处理器nRF5
【FQD3N50C-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FQD3N50C-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-导通电阻（RDS(ON)）：2200mΩ@10V,275

FQD3N50CVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
输入8.0-100V 最大输出2A 内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

一：方案名称：【RGBCW五路调光投光灯照明方案】输入8.0-100V 最大输出2A内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122 二：方案品牌： &nbs
【HFD4N50-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：HFD4N50-VB丝印：VBE165R04品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：650V-最大电流：4A-开态电阻(RDS(ON))：2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20V

HFD4N50VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet