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Iphone客户端设置说明
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时间:2019.06.12
上传者:东亚安防
Iphone客户端设置说明首先需要下载手机客户端软件,打开手机软件商店“AppStore”设置菜单内填写IP地址(或者域名)、端口号、用户名、密码,点击“Back”返回主界面
【FDD8424H-VB】N+P沟道TO252-5封装MOS管Datasheet
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大小:722.1KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
丝印:VBE5415品牌:VBsemi 型号:FDD8424H-VB 参数: -沟道类型:N+P沟道-最大电压:±40V-最大电流:50A/-50A-开通电阻:15mΩ@
FDD8424HVB
NP
沟道
TO2525
封装
mos
datasheet
AT070TN93 V.2 Pre(V02).pdf
所需E币:0
下载:0
大小:719.41KB
时间:2021.03.26
上传者:Argent
全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
AT070TN93
V2
PreV02pdf
各种主板芯片组块图
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大小:716.62KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
各种主板芯片组块图\
BDE-BLEM203_Datasheet_EN_V1.2.pdf
所需E币:0
下载:1
大小:715.5KB
时间:2021.03.30
上传者:Argent
现在的无线蓝牙,Zigbee产品不断涌现,做为电子工程师必须了解一些软硬件开发知识,BLE通信协议,网络架构,电机驱动都是常备技术课题,收集了关于BLE应用,智能门锁方面的开发资料,欢迎下载学习。
BDEBLEM203DatasheetENV12pdf
【IRF830ASTRLPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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大小:711.62KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:IRF830ASTRLPBF-VB丝印:VBL165R10品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:650V-最大电流:10A-开态电阻(RDS(ON)):1100mΩ@10V-阈值电压(Vt
IRF830ASTRLPBFVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
YDT2378-2011通信用240V直流供电系统
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大小:706.81KB
时间:2019.06.18
上传者:东亚安防
YDT2378-2011通信用240V直流供电系统
蓝牙UWB组合模块,精准双向测距,高精度定位UWB测距模块SKU610规格书文档
所需E币:0
下载:13
大小:706.35KB
时间:2020.07.21
上传者:帘卷笙声寂
UWB模块SKU610 集成了BLE处理器nRF52832和高性能UWB收发器DW1000,内置加速度传感器,实现运动、静止不同状态下的工作模式、定位频率的智能切换。采用BLE处理器nRF5
【FQD3N50C-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:705.41KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FQD3N50C-VB丝印:VBE165R04品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:4A-导通电阻(RDS(ON)):2200mΩ@10V,275
FQD3N50CVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
输入8.0-100V 最大输出2A 内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122
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下载:3
大小:704.69KB
时间:2021.04.12
上传者:yxl13828798872
一:方案名称:【RGBCW五路调光投光灯照明方案】 输入8.0-100V 最大输出2A内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122 二:方案品牌: &nbs
【HFD4N50-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:704.6KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:HFD4N50-VB丝印:VBE165R04品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:650V-最大电流:4A-开态电阻(RDS(ON)):2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20V
HFD4N50VB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
电路模拟Multisim入门指导
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下载:15
大小:702.21KB
时间:2019.06.10
上传者:东亚安防
电路模拟Multisim入门指导
【MDS9754URH-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:700.63KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
型号:MDS9754URH丝印:VBA5325品牌:VBsemi详细参数说明:-类型:N+P沟道MOSFET-最大耐压:±30V-最大电流:9A/-6A-导通电阻:15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ
MDS9754URH
NP
VBsemi
SOP8
mos
datasheet
【C3028LD-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:698.11KB
时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:C3028LD丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:-频道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:9A/-6A-RDS(ON):15mΩ/42mΩ@10V,19mΩ/50mΩ@4.
C3028LDVB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4616-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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下载:2
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时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:AO4616丝印:VBA5325品牌:VBsemi参数:N+P沟道,±30V,9/-6A,RDS(ON),15/42mΩ@10V,19/50mΩ@4.5V,20Vgs(±V);±1.65Vth(
AO4616VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【MT4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
MT4606详细参数说明:-极性:N+P沟道-额定电压:±30V-额定电流:9A(N沟道),-6A(P沟道)-导通电阻:15mΩ@10V(N沟道),42mΩ@10V(P沟道),19mΩ@4.5V(N沟
MT4606VB
NP
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【IRFZ24NS-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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时间:2024.02.21
上传者:VBsemi
型号:IRFZ24NS丝印:VBL1632品牌:VBsemi参数:-频道类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:40A-RDS(ON):23mΩ@10V,27mΩ@4.5V-门源电压范围:±20V-
IRFZ24NSVB
沟道
TO263
封装
mos
datasheet
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