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【AP4953M-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号AP4953M-VB的详细参数和应用简介：**型号：**AP4953M-VB**丝印：**VBA4338**品牌：**VBsemi**参数：**-沟道类

AP4953MVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HAT1024R-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：HAT1024R-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数说明：-**双P沟道：**该器件包含两个P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-**工作电

HAT1024RVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM4303KC-TRL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM4303KC-TRL-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-开态电阻(RDS(ON))：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,2

APM4303KCTRLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4532ADY-T1-E3-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4532ADY-T1-E3-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-类型：N+P沟道-额定电压（Vds）：±30V-最大持续电流（Id）：9A（N沟道）/-6A（P沟道）-导通电阻

SI4532ADYT1E3VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
RTL8152B-VB-CG_Datasheet_1.0.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

RTL8152BVBCGDatasheet10pdf
RH5RL36AA.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

RH5RL36AApdf
CDMA技术信息

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

CDMAStandardsHistoryCDMA标准历史May1995IS95-AwasintroducedasthedualmodecellularbandinterimstandardforCDM
【IRF7309TRPBF-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:IRF7309TRPBF-VB丝印:VBA5325品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N+P沟道-额定电压:±30V-最大电流:9A(正向),-6A(反向)-静态导通电阻(RDS(ON)

IRF7309TRPBFVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【HAT3029R-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：HAT3029R-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N+P沟道-最大耐压：±30V-最大持续电流：9A(N沟道)/-6A(P沟道)-开通电阻（RDS(ON)）：15mΩ

HAT3029RVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NCE4606-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE4606-VB丝印：VBA5325品牌：VBsemi参数：-类型：N+P沟道-额定电压（Vds）：±30V-最大持续电流（Id）：9A（N沟道）/-6A（P沟道）-导通电阻（RDS(ON)

NCE4606VB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【摄影补光灯照明方案】24V 2A无频闪线性调光 LED台灯驱动IC芯片FP7102

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7102是一款LED恒流控制芯片，工作电压范围从3.6V到28V，占空比从0-100%，目前主要应用于安防大功率红外LED驱动（多灯，阵列式二代，三代),转换效率高达90%，LED电流精度控制在±
MAC&RLC_ZTE

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

MAC&RLC_ZTE
【ZXMP10A18KTC-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ZXMP10A18KTC-VB丝印：VBE2102M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-100V-最大连续电流：-10A-静态开启电阻（RDS(ON)）：188mΩ@10V,

ZXMP10A18KTCVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NCE55P04S-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NCE55P04S-VB丝印：VBA4658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个P沟道-额定电压：-60V-最大连续电流：-5.3A-静态开启电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70m

NCE55P04SVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SSD12P10-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SSD12P10-VB丝印：VBE2102M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-100V-最大连续电流：-10A-静态开启电阻（RDS(ON)）：188mΩ@10V,195m

SSD12P10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
SMT32G474RE配套资源

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时间：2021.07.30

上传者：易安

SMT32G474RE为主控的开发板配套资源

SMT32G474RE 配套资源
【AP6679GH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AP6679GH丝印：VBE2309品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-60A-开通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,12mΩ@4.5V-额定栅

AP6679GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet