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【TK8S06K3L-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：TK8S06K3L-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，85m

TK8S06K3LVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【APM7313KC-TRL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM7313KC-TRL-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数说明：-极性：2个N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：6.8A（上管），6.0A（下管）-静态漏极-源极电阻（R

APM7313KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

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【APM3020PUC-TRL-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM3020PUC-TRL-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V

APM3020PUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD425-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AOD425-VB丝印:VBE2317品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-40A-静态导通电阻(RDS(ON)):18mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

AOD425VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AP40P03GH-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AP40P03GH-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-40A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V，2

AP40P03GHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【HAT2016RJ-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:HAT2016RJ-VB丝印:VBA3328品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:6.8A(其中一个通道),6.0A(另一个通道)-静态导通电阻(RDS(ON)

HAT2016RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDD6685-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：FDD6685-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V,25mΩ@4

FDD6685VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
GSM 无线接口理论

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

一、我国GSM网络的工作频段我国陆地蜂窝数字移动通信网GSM通信系统采用900MHz与1800MHz频段:GSM900MHz频段为：890~915(移动台发,基站收),935~960(基站发,移动台收
【KF5N50DS-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号:KF5N50DS-VB丝印:VBE165R05S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:5A-静态导通电阻(RDS(ON)):950mΩ@10V-门源电压(Vg

KF5N50DSVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4826-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：AO4826-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-开通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压：1.5Vth(V)-封

AO4826VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CDP-X77ES电原理图

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时间：2020.09.10

上传者：samewell

CDP-X77ES电原理图

CDPX77ES 原理图
【FDS4935BZ-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：FDS4935BZ-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-7A-静态导通电阻（RDS(ON)）：

FDS4935BZNLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOB470L-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：AOB470L-VB丝印：VBL1806品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：80V-最大电流：120A-开态电阻(RDS(ON))：6mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

AOB470LVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TLP2368光耦产品规格书datasheet

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时间：2024.09.12

上传者：东芝铠侠代理

高数据传输速率：典型的非归零码传输速率可达20MBd，适用于高速数据传输需求的场合。宽工作温度范围：从-40°C到125°C的工作温度范围，使其能够在各种极端环境下保持稳定运行。低输入阈值电流：最大仅

toshiba 东芝 TLP2368 光耦产品规格书 datasheet
TPS61062DRCR.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TPS61062DRCRpdf
如何隔离I2C接口信号

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时间：2022.01.14

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集成电路（I2C）总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法，由于其简单，已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信，可能系统中存在高电压，就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员

数字隔离 I2C 接口信号川土微