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【FDD6685-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：FDD6685-VB丝印：VBE2317品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-40A-导通电阻（RDS(ON)）：18mΩ@10V,25mΩ@4

FDD6685VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
GSM 无线接口理论

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时间：2019.06.03

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一、我国GSM网络的工作频段我国陆地蜂窝数字移动通信网GSM通信系统采用900MHz与1800MHz频段:GSM900MHz频段为：890~915(移动台发,基站收),935~960(基站发,移动台收
【KF5N50DS-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:KF5N50DS-VB丝印:VBE165R05S品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:650V-最大电流:5A-静态导通电阻(RDS(ON)):950mΩ@10V-门源电压(Vg

KF5N50DSVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4826-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：AO4826-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：60V-额定电流：6A-开通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5V-阈值电压：1.5Vth(V)-封

AO4826VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CDP-X77ES电原理图

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时间：2020.09.10

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CDP-X77ES电原理图

CDPX77ES 原理图
【FDS4935BZ-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS4935BZ-NL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-7A-静态导通电阻（RDS(ON)）：

FDS4935BZNLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOB470L-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AOB470L-VB丝印：VBL1806品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：80V-最大电流：120A-开态电阻(RDS(ON))：6mΩ@10V,10mΩ@4.5V,20Vgs(±V)

AOB470LVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TLP2368光耦产品规格书datasheet

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时间：2024.09.12

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高数据传输速率：典型的非归零码传输速率可达20MBd，适用于高速数据传输需求的场合。宽工作温度范围：从-40°C到125°C的工作温度范围，使其能够在各种极端环境下保持稳定运行。低输入阈值电流：最大仅

toshiba 东芝 TLP2368 光耦产品规格书 datasheet
TPS61062DRCR.pdf

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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TPS61062DRCRpdf
如何隔离I2C接口信号

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时间：2022.01.14

上传者：Vasse

集成电路（I2C）总线通信是一种短距离通信的双线半双工通信方法，由于其简单，已广泛应用于各种应用中。在I2C总线用于在两个模块之间通信，可能系统中存在高电压，就需要用到隔离。隔离可用于保护电路和操作员

数字隔离 I2C 接口信号川土微
【CHMP830JGP-A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CHMP830JGP-A-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-最大连续漏极电流：-7A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：23mΩ@10V

CHMP830JGPAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ME20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：ME20P03-VB丝印：VBE2338品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-26A-开态电阻(RDS(ON))：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V,20Vgs(±

ME20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
WLAN服务技术介绍

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

WLAN（WirelessLocalAreaNetwork，无线局域网）技术是当今通信领域的热点之一，和有线相比，无线局域网的启动和实施相对简单，维护的成本低廉，一般只要安放一个或多个接入点设备就可建
【IRF8721TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：IRF8721TRPBF-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-最大连续电流：12A-静态开启电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@

IRF8721TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【APM3055LUC-TRL-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：APM3055LUC-TRL-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：30V-最大电流：70A-开态电阻(RDS(ON))：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vg

APM3055LUCTRLVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【PV600BA-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：PV600BA-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：30V-最大电流：12A-导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5

PV600BAVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
AT89C52-DATASHEET.pdf

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时间：2021.09.26

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