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热门搜索： python HarmonyOS 嵌入式 电源 C语言 华为 电子竞赛 单片机 PCB
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  • HB771枪型摄像机参数表
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    时间：2019.06.18
    上传者：东亚安防
    产品型号HB771-BD-IR3HB771-BD-IR5成像器件逐行扫描CMOS逐行扫描CMOS有效像素1280(H)x800(V)1280(H)x800(V)最低照度0.5Lux@F1.2,0Lux
  • 带PD TYPEC转HDMI转换器CS5266原理图
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    时间：2021.07.07
    上传者：qq2755130042
    瑞奇达CapstoneCS5266原理图,CS瑞奇达CS5266, TYPEC拓展方案，USBTypeC转HDMI音视频，TYPEC转HDMI带PD快充方案设计
    TYPEC转HDMI TYPEC转换器 CS5266 原理图
  • um_pl2303_DriverInstaller_v1.4.17.pdf
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    时间：2021.04.25
    上传者：Argent
    电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻
  • 【IRFR540ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：IRFR540ZTRPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：40A-开态电阻(RDS(ON))：30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,2
    IRFR540ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【IRFR540ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：555.01KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：IRFR540ZPBF-VB丝印：VBE1104N品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：40A-静态开启电阻（RDS(ON)）：30mΩ@10V,31mΩ
    IRFR540ZPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 智能声音振动监控系统
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    快速布防、瞬间组网、实时监控、安全可靠的无形、纯被动（声监控）、低截获“无形防线”；„充分利用声音信息特征与无线能量传播模型，监控范围无孔不入；„隐蔽性强；部署扩展方便，维护及时准确；„具有高灵敏度声
  • CDMA原理b
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    移动通信系统由于综合利用有线和无线传输方式，能满足人们在活动中与固定终端或其它移动载体上的对象进行通信的要求。特别是移动互联网，能满足人们在活动中掌握大量的实时信息，从而大大地提高工作效率，产生巨大的
  • PC817.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    PC817pdf
  • 【IRF3710STRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:IRF3710STRPBF丝印:VBL1102N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):70A -开通电阻(
    IRF3710STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
  • AOD603A VBsemi MOSFET Datasheet
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    时间：2023.09.18
    上传者：VBsemi
    AOD603A（VBE5638）是一款N+P沟道MOS型晶体管，采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力，以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)
    AOD603A VBsemi mosfet datasheet
  • 基于CPLD的三相多波形函数发生器资料
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    时间：2019.06.06
    上传者：feiniao2008
    基于CPLD的三相多波形函数发生器资料
  • 【AP9435K-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.04.08
    上传者：VBsemi
    型号：AP9435K-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：1.P沟道2.最大耐压：-40V3.最大工作电流：-6A4.开导电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V，49mΩ@4.5
    AP9435KVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
  • iSNMP_Suite-Datasheet_v4
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    时间：2019.06.25
    上传者：东亚安防
    IndustrialSNMP(iSNMP)SuiteistheoriginalnetworkmanagementSNMP-OPCgatewaysoftwaredevelopedspecifically
  • IHM01A1-DG（原理图）
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    时间：2021.10.11
    上传者：Argent
    从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻电容电感，每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想
    IHM01A1DG 原理图
  • 【IPP052NE7N3-G-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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    大小：545.71KB
    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：IPP052NE7N3G-VB丝印：VBM1808品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：80V-最大连续电流：100A-静态开启电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V,9mΩ@4
    IPP052NE7N3GVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
  • PLC选用的芯片STM32F的各类原理图
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    时间：2020.11.19
    上传者：zendy_731593397
    PLC选用的芯片STM32F的各类原理图
    plc 选用 芯片 stm32f 各类 原理图
  • 【50N06 30N06 20N06 25N06 35N06 60V贴片MOS管】惠海半导体
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    大小：543.29KB
    时间：2021.06.22
    上传者：东莞市惠海半导体
    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中，和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于：首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
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