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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2024.02.21
    上传者:VBsemi
    型号:IRF3710STRPBF丝印:VBL1102N品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:N沟道-额定电压(VDS):100V -额定电流(ID):70A -开通电阻(
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    时间:2023.09.18
    上传者:VBsemi
    AOD603A(VBE5638)是一款N+P沟道MOS型晶体管,采用TO252-5封装。该产品具有±60V的耐压能力和35A的正向电流承载能力,以及-18A的反向电流承载能力。其导通电阻RDS(ON)
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    时间:2019.06.06
    上传者:feiniao2008
    基于CPLD的三相多波形函数发生器资料
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    时间:2024.04.08
    上传者:VBsemi
    型号:AP9435K-VB丝印:VBJ2456品牌:VBsemi详细参数说明:1.P沟道2.最大耐压:-40V3.最大工作电流:-6A4.开导电阻(RDS(ON)):42mΩ@10V,49mΩ@4.5
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    时间:2019.06.25
    上传者:东亚安防
    IndustrialSNMP(iSNMP)SuiteistheoriginalnetworkmanagementSNMP-OPCgatewaysoftwaredevelopedspecifically
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    时间:2021.10.11
    上传者:Argent
    从二极管到三极管,从单片机到多核MCU,3G网络到5G产品的普及,不管电子产品的集成度怎么高,其产品还是少不了电阻电容电感,每个元器件在电路中必然有其作用。单片机是芯片开发的基础,相信从中会获得您意想
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    时间:2024.02.28
    上传者:VBsemi
    型号:IPP052NE7N3G-VB丝印:VBM1808品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:80V-最大连续电流:100A-静态开启电阻(RDS(ON)):7mΩ@10V,9mΩ@4
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    时间:2020.11.19
    上传者:zendy_731593397
    PLC选用的芯片STM32F的各类原理图
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    时间:2021.06.22
    上传者:东莞市惠海半导体
    场效应管广泛使用在模拟电路中与数字电路中,和我们的生活密不可分。场效应管的优势在于:首先驱动电路比较简单。场效应管需要的驱动电流比BJT则小得多,而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路
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    时间:2023.11.28
    上传者:雷达客
    RadarSensors_ARS308-21_cn数据手册
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    时间:2019.06.03
    上传者:东亚安防
    CDMA系统的主要优点CDMA系统采用码分多址的技术及扩频通信的原理,使得可以在系统中使用多种先进的信号处理技术,为系统带来许多优点。大容量根据理论计算及现场试验表明,CDMA系统的信道容量是模拟系统
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    时间:2021.04.27
    上传者:Argent
    AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
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    时间:2020.07.07
    上传者:帘卷笙声寂
     SKB369A是一款高度集成的蓝牙4.2低功耗模块,专为无线2.4GHzISM高速率传输设计!SKB369A支持ANT协议。     &n
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    时间:2019.06.10
    上传者:东亚安防
    下面看一下一些重量级的设备:锡炉,可以将锡常年保持在高温液化状态。银色液态锡特别像水银。锡炉主要用来拆装一些插件,比如端口、AGP和PCI插槽、电容等。将需要加热的部位的大致面积在一张纸上剪出来,然后
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2024.02.28
    上传者:VBsemi
    型号:NCE0117-VB丝印:VBM1101M品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:100V-最大电流:18A-开态电阻(RDS(ON)):127mΩ@10V,132mΩ@4.5V,20Vgs