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【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NCE6005AS-VB-丝印：VBA3638-品牌：VBsemi-参数：2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.

NCE6005ASVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4447A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4447A-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@1

AO4447AVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7103TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7103TRPBF-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：27

IRF7103TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AOD444详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装类型：TO25

AOD444 VBsemi TO252 mos datasheet
【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(

DTM4946VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

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ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
超宽带（UWB）室内定位，资产定位，厘米级双向测距，UWB测距模块SKU603规格书文档

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

UWB模块SKU603集成了DW1000和STM32F103（CortexM3内核），除此之前，还集成了板载天线，RF，电源管理，时钟电路。为了在静态状态下降低功耗，SKU603集成了一个三轴的线性加
【IRF7313TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF7313TRPBF丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.8A/6.0A-导通电阻：22mΩ@10V,26mΩ@

IRF7313TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4401-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大工作电压：-30V-最大工作电流：-6A-RDS(ON)：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围：

AO4401VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【RSS100N03TB-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：RSS100N03TB-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：30V-最大漏电流：12A-静态导通电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20

RSS100N03TBVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
PWM 0/1-10V调光无屏闪方案外置MOS异步升压LED驱动IC芯片FP7208

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7208是一颗异步升压LED驱动IC，控制外部开关NMOS，反馈电压默认为0.104V，最大是0.204V，反馈电压低，取样电阻功率损耗也降低，整体转换效率提升。软启动时间透过外部电容
【4800AGM-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:4800AGM-VB丝印:VBA1311品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:30V-最大电流:12A-静态导通电阻(RDS(ON)):12mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(O

4800AGMVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
ADSL常用参数详解-20021128

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

关键词：ADSLOperationmodeFastInterleavedNoisemarginTransmitpowerBitswap摘要：本文比较详细的解释了ADSL业务中常见的参数，如交织、快速、
【FDS4897AC-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号FDS4897AC-NL-VB的详细参数和应用简介：**型号：**FDS4897AC-NL-VB**丝印：**VBA5638**品牌：**VBsemi*

FDS4897ACNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet