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三相 MOSFET 桥脉冲驱动器产品说明书

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时间：2023.07.21

上传者：贾智鹏

概述HJG4301是一种三相MOSFET桥脉冲驱动器，采用混合集成电路工艺技术，由智能的集成栅驱动控制和保护电路以及三相MOSFET桥组成，具有高达100V电机电源电压和29A电流输出能力。具有全面的

三相 mosfet 脉冲驱动器产品说明书
【IRF540NSTRPBF-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF540NSTRPBF丝印：VBL1104N品牌：VBsemi参数：N沟道,100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO2

IRF540NSTRPBF VBsemi TO263 mos datasheet
集群移动通信系统技术体制

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

集群移动通信系统技术体制
【AOD408-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AOD408 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：70A-导通电阻：

AOD408VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
XPD319规格书 USB Type-C PD 多协议控制器

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时间：2023.10.23

上传者：国兴顺电子郑生

XPD319是一款集成USBType-C、USBPowerDelivery（PD3.0）以及PPS、QC3.0+/QC3.0/QC2.0快充协议、华为FCP快充协议、三星AFC快充协议、BC1.2DC

XPD319 规格书 usb TypeC pd 多协议控制器
【FDS6673BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDS6673BZ-NL丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-11A -开通电阻(R

FDS6673BZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI4953ADY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：该型号VBsemiSI4953ADY-T1-E3-VB是一款SOP8封装的P沟道MOSFET。它具有两个P沟道，工作电压为-30V，最大电流为-7A。其在10V下的导通电阻为35mΩ，在

SI4953ADYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4430-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4430丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO4430VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STM4639-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

STM4639详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-11A-导通电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.5Vth(V)-封装类

STM4639VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【MMDF3P03HDR2G-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MMDF3P03HDR2G-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-额定电压（Vds）：-30V-最大持续电流（Id）：-7A-导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@

MMDF3P03HDR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4410-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4410丝印：VBA1303品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：18A-导通电阻：5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源电压：20Vg

AO4410VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【NTMD4840NR2G-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NTMD4840NR2G-VB丝印：VBA3316品牌：VBsemi参数：-类型：N沟道场效应管(N-channelMOSFET)-额定电压：30V-额定电流：8.5A-漏极电阻：RDS(ON)

NTMD4840NR2GVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD4184-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AOD4184丝印：VBE1405品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：85A-导通电阻：4mΩ@10V,5mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs

AOD4184 VBsemi TO252 mos datasheet
【AO4409-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

AO4409详细参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-30V-额定电流:-11A-导通电阻:11mΩ@10V,15mΩ@4.5V-门源电压:20Vgs(±V)-阈值电压:-1.5Vth(V)-封装类型

AO4409VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRFR4620TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

IRFR4620TRPBF详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-额定电流：25A-导通电阻：54mΩ@10V,112mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：3.2Vth(V

IRFR4620TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
【HAT1024RJ-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：HAT1024RJ-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-类型：2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-静态开启电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V

HAT1024RJVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
CD4514BC点阵

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时间：2019.06.06

上传者：feiniao2008

CD4514BC•CD4515BC4-BitLatched/4-to-16LineDecoders