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【STP30NF20-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

STP30NF20(VBM1208N)参数说明：N沟道，200V，35A，导通电阻58mΩ@10V，20Vgs(±V)，阈值电压3V，封装：TO220。应用简介：STP30NF20适用于高电压应用，如

STP30NF20 VBsemi to220 mos datasheet
【APM2321AAC-TRL-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：APM2321AAC-TRL-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-5.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：47mΩ@10V,5

APM2321AACTRLVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
lcd7ctp05_v20_原理图_20160506.pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

lcd7ctp05v20 原理图 20160506pdf
【IRLR3110ZPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR3110ZPBF(VBE1101N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻9mΩ@10V，20mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压3.2V，封装：TO252。应用简介：I

IRLR3110ZPBF VBsemi TO252 mos datasheet
GSM原理介绍

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

GSM的典型系统组成如下图所示。一个GSM系统可由三个子系统组成，即操作支持子系统(OSS)，基站子系统(BSS)和网路子系统(NSS)三部分组成。其中，基站子系统BSS是GSM系统中与无线蜂窝方面关
【FDD6637-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:FDD6637丝印:VBE2309品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:P沟道-额定电压(VDS):-30V -额定电流(ID):-60A -开通电阻(RDS(ON

FDD6637VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【SI4413DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI4413DY-T1-E3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI4413DY-T1-E3-VB**丝印：**VBA2311**品牌：**VBs

SI4413DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【STB60N06-14-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：STB60N06-14-VB丝印：VBL1615品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：60V-最大持续电流：75A-开通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@10Vgs、12mΩ@4

STB60N0614VB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
二极管封装

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

1.塑封整流二极管序号型号IFVRRMVFTrr外形AVVμs11A1-1A71A50-1000V1.1R-121N4001-1N40071A50-1000V1.1DO-4131N5391-1N539
【SPD30P06PG-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SPD30P06PG(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：S

SPD30P06PG VBsemi TO252 mos datasheet
【IRFR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

该型号IRFR024NTRPBF-VB是VBsemi品牌生产的功率MOSFET器件。其主要参数如下：-极性：N沟道-工作电压：60V-额定电流：18A-开通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-

IRFR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLR024NTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRLR024NTRPBF-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-额定栅极源极电压：20V

IRLR024NTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【NID6002NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NID6002NT4G-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73mΩ@10V，8

NID6002NT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【FDT434P-NL-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDT434P-NL-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-P沟道-工作电压：-40V-工作电流：-6A-开通电阻：42mΩ（@10V），49mΩ（@4.5V）-门楼电压：±20V-

FDT434PNLVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
数字机顶盒硬件结构

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时间：2021.04.16

上传者：西风瘦马

传统数字机顶盒硬件结构

数字机顶盒硬件结构
【NDT456P-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NDT456P-VB丝印：VBJ2456品牌：VBsemi参数：-类型：P沟道-额定电压（Vds）：-40V-最大持续电流（Id）：-6A-导通电阻（RDS(ON)）：42mΩ@10V,49mΩ

NDT456PVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
H5TQ4G4(8_6)3AFR(Rev1.0).pdf

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

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