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【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:428.18KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
AOD409(VBE2658)参数说明:P沟道,-60V,-22A,导通电阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1.5V,封装:TO252。应用简介:AOD40
AOD409
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【MTD20N03HDLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:427.69KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:MTD20N03HDLT4G-VB 丝印:VBE1310 品牌:VBsemi 参数说明:-N沟道-额定电压:30V-额定电流:7
MTD20N03HDLT4GVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
一种电路原理图
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下载:6
大小:427.67KB
时间:2023.01.06
上传者:张红川
一种电路原理图的sch.pcb资料
一种
电路原理图
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:427.58KB
时间:2023.12.27
上传者:VBsemi
NTD5806NT4G参数:N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252;应用简介:NTD5806NT4G是一款N
NTD5806NT4G
VBsemi
TO252
mos
datasheet
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:427.08KB
时间:2023.12.28
上传者:VBsemi
IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管,具有以下参数:-最大耐压:-100V-最大漏极电流:-18A-导通时的电阻(RDS(ON)):167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压(Vgs
IRF9530NPBF
VBsemi
to220
mos
datasheet
Cisco 2800系列交换机操作手册
所需E币:0
下载:5
大小:426.53KB
时间:2019.06.25
上传者:东亚安防
Cisco2800系列交换机进行了专门的优化,可安全、线速地提供数据、语音和视频并发服务,重新定义了最佳大型企业和中小型企业路由。Cisco2800系列集成多业务路由器建立在思科20年的领先地位及创新
【APM4330KC-TRL-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:426.08KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:APM4330KC-TRL-VB丝印:VBA1303品牌:VBsemi参数:-N沟道-额定电压:30V-额定电流:18A-RDS(ON):5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V-门源极电压:20V
APM4330KCTRLVB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【AO4437-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:425.27KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AO4437-VB丝印:VBA2216品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-最大连续漏极电流:-8A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):16mΩ@4.5V,19.2
AO4437VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【NTD5865NL-1G-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet
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下载:0
大小:425.17KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:NTD5865NL-1G-VB丝印:VBFB1615品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-额定电压:60V-额定电流:50A-开通电阻:10mΩ@10V,12mΩ@4.5V,20Vgs(±V)
NTD5865NL1GVB
沟道
TO251
封装
mos
datasheet
F240 DSK Technical Reference.pdf
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大小:424.76KB
时间:2022.03.10
上传者:samewell
F240DSKTechnicalReference.pdf
F240
dsk
technical
Referencepdf
TH12864-15.pdf
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下载:1
大小:424.46KB
时间:2021.04.27
上传者:Argent
AI产品层出不穷,手里收藏了有关电子通信,毕业设计等资料,方案诸多,可实施性强。单片机的应用开发,外设的综合运用,纵使智能产品设计多么复杂,但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程,无论是
TH1286415pdf
【SI4465ADY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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大小:424.31KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:SI4465ADY-T1-E3-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@10
SI4465ADYT1E3VB
沟道
SOP8
封装
mos
datasheet
【ME2323D-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
所需E币:0
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大小:424.22KB
时间:2024.02.28
上传者:VBsemi
型号:ME2323D-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数:-P沟道-额定电压:-20V-最大电流:-4A-开态电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V
ME2323DVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【AF2301P-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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大小:424.16KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:AF2301P-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:-极性:P沟道-额定电压:-20V-最大连续漏极电流:-4A-静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5V,83mΩ
AF2301PVB
沟道
sot23
封装
mos
datasheet
【FTP540-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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大小:423.49KB
时间:2024.02.27
上传者:VBsemi
型号:FTP540-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-类型:N沟道-最大耐压:100V-最大电流:55A-静态开启电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V,38mΩ@4.5V-门源极
FTP540VB
沟道
to220
封装
mos
datasheet
【IPD036N04LG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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大小:423.2KB
时间:2024.04.08
上传者:VBsemi
参数说明:-型号:IPD036N04LG-VB-丝印:VBE1405-品牌:VBsemi-N沟道-最大额定电压:40V-最大额定电流:85A-RDS(ON):4mΩ@10V,5mΩ@4.5V,20Vg
IPD036N04LGVB
沟道
TO252
封装
mos
datasheet
MSP430F5-12-TA定时器A
所需E币:0
下载:2
大小:423.11KB
时间:2019.06.28
上传者:royalark_912907664
MSP430F5-12-TA定时器A
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