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时间：2021.04.27

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AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号：PHD78NQ03LT-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：60A-开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10Vgs、11mΩ@4

PHD78NQ03LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O

ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR

IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【FDS4685-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS4685-NL-VB 丝印：VBA2412 品牌：VBsemi 参数： -P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V

FDS4685NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压

2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NCE60P25K-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE60P25K-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-阈值电压：-1

NCE60P25KVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
上下行平衡条件

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

本文主要介绍了上下行平衡条件
【SI3456DDV-T1-GE3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI3456DDV-T1-GE3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI3456DDV-T1-GE3-VB**丝印：**VB7322**品牌：**

SI3456DDVT1GE3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
主板各芯片的功能及名词解释

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

芯片组：（chipset）(pciset)有南桥北桥；（主外）南桥系统I/O芯片（SIO）：管理外设，主要管理中低速设备；集成了中断控制器、DMA控制器、功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通道。P
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet
【MTD20N03HDLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MTD20N03HDLT4G-VB 丝印：VBE1310 品牌：VBsemi 参数说明：-N沟道-额定电压：30V-额定电流：7

MTD20N03HDLT4GVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
一种电路原理图

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时间：2023.01.06

上传者：张红川

一种电路原理图的sch.pcb资料

一种电路原理图
【NTD5806NT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTD5806NT4G参数：N沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V);TO252；应用简介：NTD5806NT4G是一款N

NTD5806NT4G VBsemi TO252 mos datasheet
【IRF9530NPBF-VB】P沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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IRF9530NPBF是一款P沟道功率场效应管，具有以下参数：-最大耐压：-100V-最大漏极电流：-18A-导通时的电阻（RDS(ON)）：167mΩ@10V,178mΩ@4.5V-栅极电压（Vgs

IRF9530NPBF VBsemi to220 mos datasheet
Cisco 2800系列交换机操作手册

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时间：2019.06.25

上传者：东亚安防

Cisco2800系列交换机进行了专门的优化，可安全、线速地提供数据、语音和视频并发服务，重新定义了最佳大型企业和中小型企业路由。Cisco2800系列集成多业务路由器建立在思科20年的领先地位及创新

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