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RTL8188CUS_DataSheet_1.0.pdf

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时间：2021.03.26

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全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

RTL8188CUSDataSheet10pdf
AT89S52.pdf

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时间：2020.06.24

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有没有使用过云龙51单片机，这里搜集了些YL-51单片机开发板用户资料，希望对正在学习使用51单片机开发的网友有所帮助。

AT89S52pdf
【FDS4435A-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：FDS4435A-NL-VB丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻： -RDS(ON)：23mΩ@10V -RD

FDS4435ANLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRLM2502TRPBF-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRLM2502TRPBF-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33m

IRLM2502TRPBFVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【SI2312DS-T1-GE3-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-**N沟道：**该器件是一种N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。-*

SI2312DST1GE3VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
UC3845.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

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【PHD78NQ03LT-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：PHD78NQ03LT-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-最大耐压：30V-最大持续电流：60A-开通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10Vgs、11mΩ@4

PHD78NQ03LTVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ISL9N310AD3ST-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数：-额定电压（Vds）：30V-额定电流（Id）：60A-静态导通电阻（RDS(O

ISL9N310AD3STVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRLL110TRPBF-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLL110TRPBF(VBJ1101M)参数说明：N沟道，100V，5A，导通电阻100mΩ@10V，120mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2~4V，封装：SOT223。应用简介：IR

IRLL110TRPBF VBsemi SOT223 mos datasheet
【FDS4685-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：FDS4685-NL-VB 丝印：VBA2412 品牌：VBsemi 参数： -P沟道-额定电压：-40V-额定电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V

FDS4685NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2302-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2302-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-开态电阻(RDS(ON))：24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)-阈值电压

2302VB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【NCE60P25K-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：NCE60P25K-VB丝印：VBE2658品牌：VBsemi参数说明：-沟道类型：P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-阈值电压：-1

NCE60P25KVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
上下行平衡条件

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时间：2019.06.04

上传者：东亚安防

本文主要介绍了上下行平衡条件
【SI3456DDV-T1-GE3-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号SI3456DDV-T1-GE3-VB的详细参数和应用简介：**型号：**SI3456DDV-T1-GE3-VB**丝印：**VB7322**品牌：**

SI3456DDVT1GE3VB 沟道 sot236 封装 mos datasheet
【IRLR7843TRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

IRLR7843TRPBF(VBE1303)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：100A；导通电阻：2mΩ@10V,3mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.9V

IRLR7843TRPBF VBsemi TO252 mos datasheet
主板各芯片的功能及名词解释

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

芯片组：（chipset）(pciset)有南桥北桥；（主外）南桥系统I/O芯片（SIO）：管理外设，主要管理中低速设备；集成了中断控制器、DMA控制器、功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通道。P
【AOD409-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOD409(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：AOD40

AOD409 VBsemi TO252 mos datasheet

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