原理图-消耗E币(免费)资料下载

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时间：2021.03.26

上传者：Argent

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

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【FDS4435BZ-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDS4435BZ-NL丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66

FDS4435BZNLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【汽车大灯大功率照明方案】输入8-100V 降压型LED恒流驱动芯片FP7125

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时间：2021.04.12

上传者：yxl13828798872

FP7125是在恒定关断时间内工作的平均电流模式控制LED驱动器IC模式。FP7125不会产生峰均误差，因此可以大大提高精度，LED电流的线路和负载调节，无需环路补偿或高压侧电流感应。输出LED电流精
【20P03-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：20P03丝印：VBE2338品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-26A-开通电阻（RDS(ON)）：33mΩ@10V,46mΩ@4.5V-额定栅极-

20P03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AOD464-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:AOD464-VB丝印:VBE1104N品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:40A-静态导通电阻(RDS(ON)):30mΩ@10V,31mΩ@4.

AOD464VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【STS5DNF60L-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：STS5DNF60L-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：60V-最大连续电流：6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：27mΩ@10V,32mΩ@4

STS5DNF60LVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【P0603BVG-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：P0603BVG丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：12A-RDS(ON)：12mΩ@10V，15mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-

P0603BVGVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
无锡明芯微电子的防倒灌控制器Oring介绍

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时间：2022.11.29

上传者：王萌

无锡明芯微电子的MX5050T和MX16171D就是针对此应用开发的高边Oring控制器，
【AO4407A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：AO4407A丝印：VBA2317品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.

AO4407A VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4407-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

AO4407详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-导通电阻：23mΩ@10V,29mΩ@4.5V,66mΩ@2.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.37V

AO4407 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI4401DDY-T1-GE3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI4401DDY-T1-GE3丝印：VBA2412品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-11A-导通电阻：13mΩ@10V,17mΩ@4.

SI4401DDYT1GE3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7240TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF7240TRPBF丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：P沟道,-40V,-11A,RDS(ON),13mΩ@10V,17mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.7Vth(V)；S

IRF7240TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
9457_TI_L293D.pdf

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时间：2021.09.26

上传者：Argent

分享一下关于单片机的相关资料文档，感兴趣的网友可以自行下载。单片机是芯片开发的基础，相信从中会获得您意想不到的知识。学习蓝牙技术，掌握无线智能开发，了解蓝牙底层及上层应用开发，协议栈的问题需要不断学习

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【AO4882-VB】2个N沟道SaOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4882丝印：VBA3410品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：40V-最大电流：12A-导通电阻：15mΩ@10V,20mΩ@4.5V-门源电压：20

AO4882VB 2个沟道 SaOP8 封装 mos datasheet
【B09N03A-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：B09N03A丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：-频道类型：N沟道-额定电压：30V-额定电流：60A-RDS(ON)：10mΩ@10V，11mΩ@4.5V-门源电压范围：±20V-门

B09N03AVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4884-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:AO4884丝印:VBA3410品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):40V -额定电流(ID):12A -开通电阻(RDS(ON)

AO4884VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
DW1000的UWB室内高精度解决方案,UWB定位基站VDU2501使用说明

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

VDU2501采用DW1000的UWB解决方案，软件上采用 TDOA室内定位算法，实现对于标签的高精度定位，其定位精度可达10cm级别。采用POE供电方式，可以缩短客户的安装时间降低布线难度

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