原理图-消耗E币(免费)资料下载

华为T2211 原理图.pdf

所需E币：0

下载：14

大小：530.88KB

时间：2019.12.06

上传者：Argent

这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
GSM呼叫接续时长分析报告无线部分

所需E币：0

下载：3

大小：529.5KB

时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

概述无线部分的性能对用户的呼叫建立时长起着至关重要的影响。空中接口在信息传输方面不同于网络端各接口，无线传输链路的质量、时分多址的传输方式、消息的承载容量、信道资源等因素都对空中接口的传输产生一定的影
【ZXMP6A18DN8TA-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：528.05KB

时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：ZXMP6A18DN8TA丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-5.3A-导通电阻：58mΩ@10V,70mΩ@4.

ZXMP6A18DN8TAVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SI9948AEY-T1-E3-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：527.79KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SI9948AEY-T1-E3丝印：VBA4658品牌：VBsemi详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-60V-额定电流：-5.3A-开通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,70

SI9948AEYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7342TRPBF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：527.38KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：IRF7342TRPBF 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&

IRF7342TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【FDS9958-NL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：527.29KB

时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：FDS9958-NL 丝印：VBA4658 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个P沟道 -额定电压：-60V -额定电流：-5.3A&nb

FDS9958NL VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI4425DY-T1-E3-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：525.28KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SI4425DY-T1-E3-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-额定电压：-30V-最大连续电流：-11A-静态开启电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,1

SI4425DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4419-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：525KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO4419-VB-丝印:VBA2317-品牌:VBsemi-参数: -沟道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-7A -开启

AO4419VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK3148-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：523.88KB

时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3148-VB丝印：VBMB1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：50A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(

2SK3148VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【APM2301AC-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：523.16KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V,83mΩ@

APM2301ACVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
【IRFU5505PBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：520.93KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介：**型号：**IRFU5505PBF-VB**丝印：**VBFB2610N**品牌：**VBsemi*

IRFU5505PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
次新主板讲义26页

所需E币：0

下载：2

大小：519KB

时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板芯片组（chipset）(pciset)：分为南桥和北桥南桥（主外）：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通
浙江计算机芯片级维修中心（芯片级维修培训教材）a

所需E币：0

下载：3

大小：519KB

时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板芯片组（chipset）(pciset)：分为南桥和北桥南桥（主外）：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通
【IRFU220NPBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：518.2KB

时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFU220NPBF-VB丝印：VBFB1203M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-最大连续漏极电流：10A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：270mΩ@1

IRFU220NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【SI4848DY-T1-E3-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：518.17KB

时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI4848DY-T1-E3-VB丝印：VBA1158N品牌：VBsemi参数：N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V

SI4848DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TB67H420FTG直流电机驱动IC产品规格书datasheet

所需E币：0

下载：0

大小：517.39KB

时间：2024.07.29

上传者：东芝铠侠代理

TB67H420FTG是一款多功能有刷直流电机驱动器，具有一系列使其适用于各种应用的特点，从工业机械到消费电子。以下是一些突出的规格：高电压和电流容量：TB67H420FTG支持高达50V和9.0A，

toshiba 东芝 TB67H420FTG 直流电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
TL082ACD.pdf

所需E币：0

下载：2

大小：517.29KB

时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TL082ACDpdf

最新资讯