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【AO4441-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4441-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-60V-最大持续电流：-6A-开通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10Vgs、61mΩ@4.5Vg

AO4441VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
基于单片机的数字电压表资料

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时间：2019.06.05

上传者：feiniao2008

基于单片机的数字电压表资料
MT3333高性能GNSS一体化解决方案模块,SkyLab北斗多模定位模块SKG17D规格书文档

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时间：2020.05.27

上传者：帘卷笙声寂

SKG17D是高性能GNSS一体化解决方案模块,功能超级敏感,超低权力和小的形式因素。应用于射频信号天线的输入模块,和一个完整的串行数据信息与位置、速度和时间信息在与n mea协议或串行接口
【MGSF2N02ELT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MGSF2N02ELT1G-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33m

MGSF2N02ELT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
PLL电路的研究及在信号产生中的应用资料

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时间：2019.05.31

上传者：feiniao2008

随着科学技术的发展，锁相环PLL是自动频率控制和自动相位控制技术的融合。鉴于其在通讯、航海、军事等发面的广泛应用，研究锁相环电路的特性有助于了解和提高锁相环电路的性能指标，使其在各领域得到更为广泛的应
无线车辆人员物资定位跟踪系统

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

远程识别：可靠通信距离高达150米以上(视距)，一台读卡器即可超远距离识别60000平方米内的各类车辆、物资、设备等；双频识别：每张卡内包含普通无源RFID(13.56MHz)和远距离UHF频段RF
【MDD1754RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：MDD1754RH-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V，14m

MDD1754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【AO4425-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：AO4425丝印：VBA2311品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-导通电阻：10mΩ@10V,13mΩ@4.5V-门源电压：20

AO4425VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK3147STL-E-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3147STL-E-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-最大连续漏极电流：18A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：115mΩ@1

2SK3147STLEVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
数能科技NU501 NU502 NU510恒流芯片应用

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时间：2022.07.28

上传者：446230017_531524612

NU501 系列是一简单的定电流组件，在各种LED照明产品的应用上非常容易使用。其具有绝佳的负载与电源调变率和极小输出电流误差。NU501系列能使LED的电流非常稳定，在大面积的

数能科技 NU501 NU502 NU510 恒流芯片应用
汉邦D1产品参数

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时间：2019.06.12

上传者：东亚安防

HB8200系列产品采用H.264压缩算法、LINUX操作系统和嵌入式处理器一体化的设计，在单板上集成了视音频采集、压缩、存储、网络传送、多路云台控制、报警检测等功能，保证了系统的高集成度和高可靠性。
【IRF9335TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF9335TRPBF-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi参数：-P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-6A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V,20V

IRF9335TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【SFT1443-H-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：SFT1443-H-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：18A-开态电阻(RDS(ON))：115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20V

SFT1443HVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【CEU12N10-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：CEU12N10-VB丝印：VBE1101M品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：100V-最大连续电流：18A-静态开启电阻（RDS(ON)）：115mΩ@10V,121mΩ@

CEU12N10VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
数字隔离器选型注意事项

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时间：2022.01.14

上传者：Vasse

隔离是一种防止系统两部分之间有直流干扰，或者防止干扰性交流电流的方法，同时允许信号可以在这两部分系统正常传输。为保护操作人员，防止高压系统中昂贵的处理器损坏，就会需要这种隔离，切断通信网络中的接地回路

数字隔离器选型川土微
【IRFR1018ETRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRFR1018ETRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-最大耐压：60V-最大漏电流：60A-静态导通电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,

IRFR1018ETRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRFR48ZTRPBF-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRFR48ZTRPBF-VB丝印：VBE1615品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：60A-开态电阻(RDS(ON))：9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs

IRFR48ZTRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet