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  • FP5207B规格书DFN10封装
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    时间：2022.12.07
    上传者：袁雅倩
    FP5207B规格书DFN10封装应用手册
    FP5207B 规格书 DFN10 封装
  • 【SM4028NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：SM4028NSUC-TRG-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：40V-最大连续电流：85A-静态开启电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10V,5mΩ@
    SM4028NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • 【ME20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号：ME20N03-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V，9mΩ@4.
    ME20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
  • TLC08X.pdf
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    时间：2021.04.27
    上传者：Argent
    AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是
    TLC08Xpdf
  • 【NTP6413ANG-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.28
    上传者：VBsemi
    型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(
    NTP6413ANGVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
  • YDT 1464-2006 光纤收发器测试标准
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    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    YDT1464-2006光纤收发器测试标准
  • 【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2023.12.28
    上传者：VBsemi
    型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5
    SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
  • 【SI9945BDY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.21
    上传者：VBsemi
    型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻
    SI9945BDYT1E3VB 2个 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 901主板原理图.pdf
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    时间：2019.12.02
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • 901主板原理图.pdf
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    大小：572.52KB
    时间：2019.12.06
    上传者：Argent
    这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
  • 【AO4441-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet
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    大小：569.06KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：AO4441-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数：-沟道类型：P沟道-最大耐压：-60V-最大持续电流：-6A-开通电阻（RDS(ON)）：50mΩ@10Vgs、61mΩ@4.5Vg
    AO4441VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
  • 基于单片机的数字电压表资料
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    时间：2019.06.05
    上传者：feiniao2008
    基于单片机的数字电压表资料
  • MT3333高性能GNSS一体化解决方案模块,SkyLab北斗多模定位模块SKG17D规格书文档
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    大小：568.13KB
    时间：2020.05.27
    上传者：帘卷笙声寂
    SKG17D是高性能GNSS一体化解决方案模块,功能超级敏感,超低权力和小的形式因素。应用于射频信号天线的输入模块,和一个完整的串行数据信息与位置、速度和时间信息在与n mea协议或串行接口
  • 【MGSF2N02ELT1G-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet
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    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：MGSF2N02ELT1G-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：N沟道-额定电压：20V-最大电流：6A-导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ@4.5V,33m
    MGSF2N02ELT1GVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
  • PLL电路的研究及在信号产生中的应用资料
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    时间：2019.05.31
    上传者：feiniao2008
    随着科学技术的发展，锁相环PLL是自动频率控制和自动相位控制技术的融合。鉴于其在通讯、航海、军事等发面的广泛应用，研究锁相环电路的特性有助于了解和提高锁相环电路的性能指标，使其在各领域得到更为广泛的应
  • 无线车辆人员物资定位跟踪系统
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    大小：566.89KB
    时间：2019.06.03
    上传者：东亚安防
    远程识别：可靠通信距离高达150米以上(视距)，一台读卡器即可超远距离识别60000平方米内的各类车辆、物资、设备等；„双频识别：每张卡内包含普通无源RFID(13.56MHz)和远距离UHF频段RF
  • 【MDD1754RH-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet
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    大小：566.39KB
    时间：2024.02.27
    上传者：VBsemi
    型号：MDD1754RH-VB丝印：VBE1410品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：40V-最大连续漏极电流：50A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：12mΩ@10V，14m
    MDD1754RHVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
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