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【NTF3055-100T1G-VB】N沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：NTF3055-100T1G-VB丝印：VBJ1695品牌：VBsemi参数说明：-N沟道-额定电压：60V-最大电流：4A-RDS(ON)：76mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压（Vg

NTF3055100T1GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
【FDS9926A-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：FDS9926A-NL-VB丝印：VBA3222品牌：VBsemi参数：-2个N沟道-最大耐压：20V-最大电流：8A-开通态电阻：15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V,12

FDS9926ANLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7470TRPBF-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

上传者：VBsemi

型号：IRF7470TRPBF丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：N沟道,40V,10A,RDS(ON),14mΩ@10V,16mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；SOP8

IRF7470TRPBF VBsemi SOP8 mos datasheet
【TPC8207-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：TPC8207-VB丝印：VBA3222品牌：VBsemi参数说明：-2个N沟道-额定电压：20V-最大电流：8A-RDS(ON)：15mΩ@10V,22mΩ@4.5V,30mΩ@2.5V-门源

TPC8207VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
碳化硅MOS应用特种电源

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 特种电源
【IRF9310TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：IRF9310TRPBF-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：-P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-11A-开通态电阻：11mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V)-

IRF9310TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDS4465-NL-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:FDS4465-NL-VB丝印:VBA2309品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-11A-静态导通电阻(RDS(ON)):11mΩ@10V-静态导通电阻(

FDS4465NLVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
FP5207B规格书DFN10封装

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时间：2022.12.07

上传者：袁雅倩

FP5207B规格书DFN10封装应用手册

FP5207B 规格书 DFN10 封装
【SM4028NSUC-TRG-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4028NSUC-TRG-VB丝印：VBE1405品牌：VBsemi参数：-沟道类型：N沟道-额定电压：40V-最大连续电流：85A-静态开启电阻（RDS(ON)）：4mΩ@10V,5mΩ@

SM4028NSUCTRGVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【ME20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：ME20N03-VB丝印：VBE1310品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：30V-最大连续漏极电流：70A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：7mΩ@10V，9mΩ@4.

ME20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
TLC08X.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TLC08Xpdf
【NTP6413ANG-VB】N沟道TO220封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号:NTP6413ANG-VB丝印:VBM1104N品牌:VBsemi参数:-沟道类型:N沟道-额定电压:100V-最大电流:55A-静态导通电阻(RDS(ON)):36mΩ@10V-静态导通电阻(

NTP6413ANGVB 沟道 to220 封装 mos datasheet
YDT 1464-2006 光纤收发器测试标准

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

YDT1464-2006光纤收发器测试标准
【SQ9945BEY-T1-GE3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：SQ9945BEY-T1-GE3丝印：VBA3638品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：60V-最大电流：6A-导通电阻：27mΩ@10V,32mΩ@4.5

SQ9945BEYT1GE3 VBsemi SOP8 mos datasheet
【SI9945BDY-T1-E3-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号:SI9945BDY-T1-E3丝印:VBA3638品牌:VBsemi参数说明:-MOSFET类型:2个N沟道-额定电压(VDS):60V -额定电流(ID):6A -开通电阻

SI9945BDYT1E3VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
901主板原理图.pdf

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时间：2019.12.02

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这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
901主板原理图.pdf

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时间：2019.12.06

上传者：Argent

这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！