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【IRF5305STRPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-30A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,

IRF5305STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压

NTF6P02T3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
CS5263DP转HDMI2.0方案设计电路图.pdf

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时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5263设计参考电路,CS5263电路图，DP转HDMI2.0方案设计，CS5263AN集成了DP1.4和HDMI2.0输出接口。DP接口包括4条主通道、辅助通道和HPD信号。

CS5263设计电路 DP转HDMI DP转HDMI方案 CS5263电路图
TD-SCDMA 无线接入网Iub接口部分

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

TD-SCDMA与GSM系统之间的切换–话音业务•TD-SCDMA与WCDMA系统之间的切换–语音业务–PS域业务
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

该型号FDS8949-NL-VB，丝印为VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs(±V

FDS8949NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOB414-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

AOB414(VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高电流

AOB414 VBsemi TO263 mos datasheet
【NCE6005AS-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：NCE6005AS-VB-丝印：VBA3638-品牌：VBsemi-参数：2个N沟道,60V,6A,RDS(ON),27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.

NCE6005ASVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4447A-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4447A-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：P沟道-额定电压（Vds）：-30V-额定电流（Id）：-11A-静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ@1

AO4447AVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【IRF7103TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：IRF7103TRPBF-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi**参数说明：**-极性：2个N沟道-额定电压（Vds）：60V-额定电流（Id）：6A-静态导通电阻（RDS(ON)）：27

IRF7103TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AOD444-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

AOD444详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：60V-额定电流：18A-导通电阻：73mΩ@10V,85mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：2Vth(V)-封装类型：TO25

AOD444 VBsemi TO252 mos datasheet
【DTM4946-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:DTM4946-VB丝印:VBA3638品牌:VBsemi详细参数说明:-沟道类型:2个N沟道-额定电压:60V-最大电流:6A-静态导通电阻(RDS(ON)):27mΩ@10V-静态导通电阻(

DTM4946VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【ACE2302BBM+H-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datashee

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

ACE2302BBM+H(VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用

ACE2302BBMH VBsemi sot23 mos Datashee
【CMD5950-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

CMD5950详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-100V-额定电流：-40A-导通电阻：33mΩ@10V,36mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：-1.92Vth(V)-封

CMD5950 VBsemi TO252 封装 mos datasheet
超宽带（UWB）室内定位，资产定位，厘米级双向测距，UWB测距模块SKU603规格书文档

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时间：2020.07.21

上传者：帘卷笙声寂

UWB模块SKU603集成了DW1000和STM32F103（CortexM3内核），除此之前，还集成了板载天线，RF，电源管理，时钟电路。为了在静态状态下降低功耗，SKU603集成了一个三轴的线性加
【IRF7313TRPBF-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRF7313TRPBF丝印：VBA3328品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：2个N沟道MOSFET-最大耐压：30V-最大电流：6.8A/6.0A-导通电阻：22mΩ@10V,26mΩ@

IRF7313TRPBFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【AO4800-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

型号：AO4800 丝印：VBA3328 品牌：VBsemi 参数：-频道类型：2个N沟道 -额定电压：30V -额定电流：6.8A（最大值）、6.0

AO4800 VBsemi SOP8 mos datasheet
【AO4401-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：AO4401-VB丝印：VBA2333品牌：VBsemi详细参数说明：-P沟道-最大工作电压：-30V-最大工作电流：-6A-RDS(ON)：40mΩ@10V,54mΩ@4.5V-门源电压范围：

AO4401VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet