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【AO4419-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号:AO4419-VB-丝印:VBA2317-品牌:VBsemi-参数: -沟道类型:P沟道 -额定电压:-30V -额定电流:-7A -开启

AO4419VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【2SK3148-VB】N沟道TO220F封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：2SK3148-VB丝印：VBMB1104N品牌：VBsemi参数：-N沟道-额定电压：100V-最大电流：50A-开态电阻(RDS(ON))：40mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(

2SK3148VB 沟道 to220f 封装 mos datasheet
【APM2301AC-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：APM2301AC-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-20V-最大电流：-4A-导通电阻（RDS(ON)）：57mΩ@4.5V,83mΩ@

APM2301ACVB 沟道 sot23 封装 mos datasheet
无刷电机原理图大全

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时间：2025.07.01

上传者：言寺

无刷电机原理图大全
【IRFU5505PBF-VB】P沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

根据提供的型号和参数，以下是对该MOSFET型号IRFU5505PBF-VB的详细参数和应用简介：**型号：**IRFU5505PBF-VB**丝印：**VBFB2610N**品牌：**VBsemi*

IRFU5505PBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
次新主板讲义26页

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板芯片组（chipset）(pciset)：分为南桥和北桥南桥（主外）：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通
浙江计算机芯片级维修中心（芯片级维修培训教材）a

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时间：2019.06.10

上传者：东亚安防

主板芯片组（chipset）(pciset)：分为南桥和北桥南桥（主外）：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。功能如下：PCI、ISA与IDE之间的通
【IRFU220NPBF-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRFU220NPBF-VB丝印：VBFB1203M品牌：VBsemi参数说明：-极性：N沟道-额定电压：200V-最大连续漏极电流：10A-静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：270mΩ@1

IRFU220NPBFVB 沟道 TO251 封装 mos datasheet
【SI4848DY-T1-E3-VB】N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

型号：SI4848DY-T1-E3-VB丝印：VBA1158N品牌：VBsemi参数：N沟道,150V,5.4A,RDS(ON),80mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V

SI4848DYT1E3VB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
TOSHIBA东芝TB67H420FTG直流电机驱动IC产品规格书datasheet

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时间：2024.07.29

上传者：东芝铠侠代理

TB67H420FTG是一款多功能有刷直流电机驱动器，具有一系列使其适用于各种应用的特点，从工业机械到消费电子。以下是一些突出的规格：高电压和电流容量：TB67H420FTG支持高达50V和9.0A，

toshiba 东芝 TB67H420FTG 直流电机驱动 ic 产品规格书 datasheet
TL082ACD.pdf

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时间：2021.04.27

上传者：Argent

AI产品层出不穷，手里收藏了有关电子通信，毕业设计等资料，方案诸多，可实施性强。单片机的应用开发，外设的综合运用，纵使智能产品设计多么复杂，但其实现的基本功能都离不开MCU的电路设计与驱动编程，无论是

TL082ACDpdf
【20N03-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

详细参数说明：-型号：20N03-VB-丝印：VBE1310-品牌：VBsemi-类型：N沟道场效应管-额定电压：30V-额定电流：70A-RDS(ON)：7mΩ@10V,9mΩ@4.5V-门源电压：

20N03VB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
【IRF5305STRPBF-VB】P沟道TO263封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

上传者：VBsemi

型号：IRF5305STRPBF-VB丝印：VBL2658品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-60V-最大电流：-30A-导通电阻（RDS(ON)）：58mΩ@10V,

IRF5305STRPBFVB 沟道 TO263 封装 mos datasheet
【NTF6P02T3G-VB】P沟道SOT223封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：NTF6P02T3G丝印：VBJ2456品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-40V-最大电流：-6A-导通电阻：42mΩ@10V,49mΩ@4.5V-门源电压

NTF6P02T3GVB 沟道 SOT223 封装 mos datasheet
CS5263DP转HDMI2.0方案设计电路图.pdf

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时间：2021.09.15

上传者：qq2755130042

CS5263设计参考电路,CS5263电路图，DP转HDMI2.0方案设计，CS5263AN集成了DP1.4和HDMI2.0输出接口。DP接口包括4条主通道、辅助通道和HPD信号。

CS5263设计电路 DP转HDMI DP转HDMI方案 CS5263电路图
TD-SCDMA 无线接入网Iub接口部分

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

TD-SCDMA与GSM系统之间的切换–话音业务•TD-SCDMA与WCDMA系统之间的切换–语音业务–PS域业务
【FDS8949-NL-VB】2个N沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

上传者：VBsemi

该型号FDS8949-NL-VB，丝印为VBA3638，是VBsemi品牌生产的一款电子元器件。其参数为2个N沟道、60V、6A，RDS(ON)为27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs(±V

FDS8949NLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet