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【IRF9328TRPBF-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：IRF9328TRPBF-VB丝印：VBA2311品牌：VBsemi参数说明：-MOSFET类型：P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-11A-导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ@10V,1

IRF9328TRPBFVB 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
单工无线发射接收系统+毕业论文

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时间：2019.06.03

上传者：feiniao2008

本设计中采用调频立体声接收机集成芯片优化电路，使得接收灵敏度大为改善，外围元件极少。同时采用锁相环技术，增强锁定频率信号准确度。接收机采用电容分压式滤波器，具有动态范围大，调整方便的特点。
【IRFR5305TRPBF-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：IRFR5305TRPBF丝印：VBE2658品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：P沟道MOSFET-最大耐压：-60V-最大电流：-22A-导通电阻：48mΩ@10V,57mΩ@4.5V-

IRFR5305TRPBFVB 沟道 TO252 封装 mos datasheet
RTL8211E-VB-CG参考设计

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时间：2021.12.17

上传者：dongjm

1000M以太网参考设计

RTL8211EVBCG 参考设计
7750Service Route VPLS配置实例与排障手册

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时间：2019.06.03

上传者：东亚安防

VPLS配置VPLS（VirtualPrivateLANService）是通过IP/MPLS网络连接多个以太网LAN网段，使它们像一个LAN那样工作。VPLS也称为透明局域网服务TLS（Transpa
基本線路圖原理

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时间：2019.06.10

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圖中R3為反饋電阻﹐R1与R3构成反饋网絡﹐R2為靜態平衡電阻﹐其值為R2=R1//R3.從理想的放大器的概念出發來分析放大器的性能﹒因為Ii=0,U1=U2,故有I1=I3U1=U2=0而I1=Ui
手机信号放大

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时间：2019.06.10

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手机信号放大器又称手机信号增强器专用于小区域室内天线分布系统（又称定点覆盖），将基站的信号通过无线接入方式直接引入到室内的覆盖区域，再通过小型天线将基站信号发送出去，同时接收手机信号，通过分布系统上行
【SM4953KC-TRG-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号：SM4953KC-TRG-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-额定电压：-30V-最大电流：-7A-开态电阻(RDS(ON))：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,2

SM4953KCTRGVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
维修实例

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时间：2019.06.10

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主板维修要涉及到的多种检查法参照检查法参照检查法是利用一个正常工作的同型号的板卡作为标准参照物，运用移植、比较、借鉴、引申、参照、对比等手段，查出具体的故障部位，简单地讲，这一检查方法是通过与一个标准
【AO8810-VB】2个N沟道TSSOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.28

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型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：-沟道类型：2个N沟道-额定电压：20V-最大连续电流：7.6A-静态开启电阻（RDS(ON)）：13mΩ@4.5V,20mΩ@

AO8810VB 2个沟道 TSSOP8 封装 mos datasheet
超高灵敏度,超低功耗高性能GNSS一体化模块LS-TM8N

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时间：2020.05.27

上传者：帘卷笙声寂

LS-TM8N是一款高性能GNSS一体化解决方案模块，具有超高灵敏度，超低功耗和小巧的外形。RF信号应用于模块的天线输入，并且在具有UBX协议或NMEA协议的串行接口上呈现具有位置，速度和时间信息的完

高灵敏度超低功耗高性能 gnss 一体化模块 LSTM8N
【APM4953KC-TRL-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.04.08

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型号：APM4953KC-TRL-VB丝印：VBA4338品牌：VBsemi参数：-2个P沟道-最大耐压：-30V-最大电流：-7A-开通态电阻：35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V

APM4953KCTRLVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
【FDS8858CZ-NL-VB】N+P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.21

上传者：VBsemi

型号：FDS8858CZ-NL丝印：VBA5311品牌：VBsemi参数：-频道类型：N+P沟道-额定电压：±30V-额定电流：10A/-8A-RDS(ON)：11mΩ/21mΩ@10V，13mΩ/2

FDS8858CZNLVB NP 沟道 SOP8 封装 mos datasheet
机房建设技术方案以及工程报价配置清单

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时间：2019.06.18

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数据中心基础设施的建设，很重要的一个环节就是计算机机房的建设。计算机机房工程不仅集建筑、电气、安装、网络等多个专业技术于一体，更需要丰富的工程实施和管理经验。计算机房设计与施工的优劣直接关系到机房内计
【AM4929P-T1-PF-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

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型号:AM4929P-T1-PF-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电

AM4929PT1PFVB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet
K810 原理图.pdf

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时间：2019.12.06

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这是本人经典收藏的电子类书籍，有的是参加设计类大赛时翻阅的参考类文案，有的是参加培训时藏有的经典教程，在此电子工程专辑平台上分享，希望能够帮助到有电子兴趣好爱的你，请且行且珍惜，好好收藏吧！
【STM4973-VB】2个P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.02.27

上传者：VBsemi

型号:STM4973-VB丝印:VBA4338品牌:VBsemi参数:-沟道类型:P沟道-额定电压:-30V-最大电流:-7A-静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@10V-静态导通电阻(RDS(

STM4973VB 2个沟道 SOP8 封装 mos datasheet