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数能科技NU501 NU502 NU510恒流芯片应用

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时间：2022.07.28

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NU501 系列是一简单的定电流组件，在各种LED照明产品的应用上非常容易使用。其具有绝佳的负载与电源调变率和极小输出电流误差。NU501系列能使LED的电流非常稳定，在大面积的

数能科技 NU501 NU502 NU510 恒流芯片应用
Raspberry Pi Pico & RP2040 datasheet

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时间：2022.07.26

上传者：Jesse554

RaspberryPiPico&RP2040datasheet

Raspberry pi pico rp2040 datasheet
英集芯PD 3.0 18W 充电宝

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时间：2022.07.20

上传者：狂狂

自测英集芯IP5332充电宝电路，需要自取。

英集芯 pd 30 18W 充电宝
滑板底盘

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时间：2022.07.13

上传者：你大爷deadfasdf

清华大学教授欧阳明高院士：滑板底盘将给汽车带来一场革命

滑板底盘
灯带低成本恒流驱动芯片NU403

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时间：2022.06.24

上传者：446230017_531524612

NU403恒流芯片是来自台湾数能的一款线性恒流驱动控制器芯片,适用于LED灯带,灯条,常有优势低成本高性价, "alt=""/>

灯带低成本恒流驱动芯片 NU403芯片 NU403应用电路
电容的等效电路

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时间：2022.06.13

上传者：SongYM

该等效电路可以助人快速容易理解电容串联恒压源、或近似恒压源的相对容值极大的电容的电路的性能。

电容等效电路模拟电子线路
移载机及电气原理图

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时间：2022.04.08

上传者：Argent

PLC技术在工业控制领域应用广泛，分享一些有关实用的三菱PLC参考程序，希望能够帮助到有需要的网友。

移载机电气原理图
HiSpark_AI_Hi3516D_One_Light_VER.B_NoValueSCH

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时间：2022.04.02

上传者：Argent

HiSpark_AI_Hi3516D_One_Light_VER.B_NoValueSCH
HiSpark_AI_Hi3516D_Ext_VER.C_NoValueSCH

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时间：2022.04.02

上传者：Argent

HiSpark_AI_Hi3516D_Ext_VER.C_NoValueSCH
DAYU_核心板原理图

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时间：2022.04.02

上传者：Argent

DAYU_核心板原理图

DAYU 核心板原理图
DAYU_底板原理图

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时间：2022.04.02

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DAYU_底板原理图

DAYU 底板原理图
F240 DSK Technical Reference.pdf

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时间：2022.03.10

上传者：samewell

F240DSKTechnicalReference.pdf

F240 dsk technical Referencepdf
CS5261替代RTD2171U最新版设计参考电路

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时间：2022.02.24

上传者：qq2755130042

CS5261替代RTD2171U设计电路，CS5261参考电路图，Type-C转HDMI方案芯片设计资料，CS5261完全替代AG9310电路图

CS5261 替代RTD2171U CS5261设计参考
碳化硅MOS应用充电桩

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时间：2022.02.15

上传者：Eways-SIC

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

650V 15143 DC-AC修正波逆变器 133747 移相全桥 dab
SIC碳化硅MOS应用 PD 快充

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

sic 碳化硅 mos pd 快充
碳化硅MOS应用特种电源

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时间：2022.01.27

上传者：Eways-SIC

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比，由于SiC功率系统具有这些优势，因此能够在要求高功率密度的应用（如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、

碳化硅 mos 特种电源
SIC MOS光伏储能

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时间：2022.01.21

上传者：Eways-SIC

SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、

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