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18微米芯片后端设计的相关技术
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时间:2019.08.06
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现今我国对集成电路芯片的需求量每年正以15%的速度增加,它们广泛的应用于通讯、计算机、网络等高科技领域。下表给出1997年到2014年国际集成电路工艺的发展趋势:
芯片
LDO芯片设计报告及电路分析报告
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时间:2019.08.06
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本论文完成了一种应用于集成于射频芯片的LDO的分析与设计。本文主要从稳定性、负载瞬态响应、电源抑制比和噪声四个方面进行了分析。然后,采用SMIC0.18μmCMOS工艺完成了包括功率调整管、电阻反馈网
芯片
基于DSP芯片设计的一种波形发生器
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时间:2019.08.06
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在通信、仪器仪表和控制等领域的信号处理系统中,经常要使用到正弦波以及其他波形发生器。通常可以通过下述两种方法来产生所需波形。一种方法为使用算法直接产生(如正弦波通过泰勒级数展开得到),这种方法能直接精
芯片设计
常用半导体器件讲解
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时间:2019.08.06
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1.1.1导体、半导体和绝缘体自然界中很容易导电的物质称为导体,金属一般都是导体。有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间,称为半导体,如锗
半导体
关于芯片和芯片设计的科普
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时间:2019.08.06
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1946年2月14日在美国宾夕法尼亚大学的莫尔电机学院诞生(莫科里),由18,800多个电子管组成,重量30多吨,占地面积170多平方米。
芯片
超大规模集成电路中低功耗设计与分析
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时间:2019.08.06
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随着IC设计的规模更大,速度更快,以及便携式设备的广泛需求,设计中功耗的问题越来越凸现出来,所以在整个设计流程中就需要对功耗进行分析和低功耗设计,这些技术可以保证芯片的每一部分都能高效、可靠、正确地工
集成电路
半导体缺陷解析及中英文术语一览
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时间:2019.08.06
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一、半导体缺陷1.位错:位错又可称为差排(英语:dislocation),在材料科学中,指晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列(晶体学缺陷)。从几何角度看,位错属于一种线缺陷,可视为晶体
半导体
超大规模集成电路设计
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时间:2019.08.06
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Part1超大规模集成电路设计导论CMOS工艺、器件/连线逻辑门单元电路、组合/时序逻辑电路功能块/子系统(控制逻辑、数据通道、存储器、总线)Part2超大规模集成电路设计方法设计流程系统设计与验证R
集成电路
ASIC芯片设计生产流程
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时间:2019.08.06
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ASIC项目的主要步骤包括:预研阶段;顶层设计阶段;模块级设计阶段;模块实现阶段;子系统仿真阶段;系统仿真,综合和版图设计前门级仿真阶段;后端版面设计阶段;测试向量准备阶段;后端仿真阶段;生产签字;硅
芯片
常用存储器芯片设计指南
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时间:2019.08.06
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现代通讯产品中,各种存储器的应用已经是越来越广泛,可以这么说,产品中包含的存储器的特性的好坏,直接关系到产品整体性能。因此,存储器芯片的设计,在通讯产品的设计中,也显得愈发重要。目前在通讯产品中应用的
芯片
射频芯片校准设计
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•MultipleFrequencyBands,SimultaneousOperationformultiplestandards&Applications(WLAN,Bluetooth,RFID,…
芯片
晶圆及芯片测试
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时间:2019.08.06
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晶圆及芯片测试,过程讲解
晶圆
数字IC芯片设计
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时间:2019.08.06
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RTL(RegisterTransferLevel)设计利用硬件描述语言,如verilog,对电路以寄存器之间的传输为基础进行描述综合:将RTL级设计中所得的程序代码翻译成实际电路的各种元器件以及他们
数字IC
芯片研发过程介绍
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一款芯片的设计开发,一款芯片的设计开发,一款芯片的设计开发,一款芯片的设计开发,首先是根据产品应用的需求,的需求,的需求,设计应用系统,来初步确定来初步确定来初步确定应用对芯片功能和性芯片功能和性芯片
芯片研发
一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计
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时间:2019.08.06
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硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取,设计了一种方案并进行了实验验证,得出
mems
芯片基本知识介绍
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芯片基本知识介绍,从芯片厂家现状等市场情况讲起....
芯片
芯片封装测试流程详解
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时间:2019.08.06
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【LeadFrame】引线框架提供电路连接和Die的固定作用;主要材料为铜,会在上面进行镀银、NiPdAu等材料;L/F的制程有Etch和Stamp两种;易氧化,存放于氮气柜中,湿度小于40%RH;
芯片封装
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