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    时间:2020.03.11
    上传者:16245458_qq.com
    leading-edgewaferdicingtechnologywithlasermicrojetprocess……
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    时间:2020.03.11
    上传者:quw431979_163.com
    介绍半导体封装及其命名方法,含义JEDECStandardNo.30EPage53.2Fielddescriptions3.2.1BasicpackagedesignatorThebasicpacka
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    时间:2020.03.11
    上传者:16245458_qq.com
    lectureforsemiconductorpackagingmethod.tounderstandpackagematerial,process,designect.SemiconductorPa
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    时间:2020.03.11
    上传者:微风DS
    来自VirginiaTech的IC器件封装的基本知识FundamentalsofICAssembly!WhatisICAssembly?!PurposeofICAssembly!Requirement
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    时间:2020.03.11
    上传者:wsu_w_hotmail.com
    memorystructureanalysisCopyright2005bySemiconductorInsightsInc.May2005MemoryDetailedStructuralAnalys
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    时间:2020.03.11
    上传者:quw431979_163.com
    designguidelineforQFN(QualFlatnonlead)JEDECDESIGNSTANDARDDESIGNREQUIREMENTSFOROUTLINESOFSOLIDSTATEAN
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    时间:2020.03.11
    上传者:16245458_qq.com
    希望能给你带来方便MOTOROLAOrderthisdocumentbyTIP41A/DSEMICONDUCTORTECHNICALDATANPNTIP41AComplementarySiliconP
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    时间:2020.03.11
    上传者:微风DS
    正温度系数(PTC)热敏电阻“POSISTOR”应用指南!NoteThisPDFcatalogisdownloadedfromthewebsiteofMurataManufacturingco.,lt
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    时间:2020.03.12
    上传者:238112554_qq
    本文提炼了数字电视CA的四个要素,介绍了有卡CA和无卡CA的区别,列举了无卡CA的几种方案及其优缺点。并重点讲述了采用独立的数字电视专用安全芯片实现的无卡CA技术,以及自主研发的用于实现这一无卡CA技
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    时间:2020.01.07
    上传者:二不过三
    目前,EMI问题是很多工程师在PCB设计遇到的最大挑战,由于电子产品信号处理频率越来越高,EMI问题日益显著,虽然有很多书籍对EMI问题进行了探讨,但是都不够深入,《PCB设计中EMI控制原理与实战技
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    时间:2020.01.07
    上传者:rdg1993
    掌握好PCB设计规范和技巧可以让你的设计少走很多弯路,在本资料中,作者搜集了大量有关PCB设计的资料,包括PCB布线、EMC设计技巧、高密度设计、混合信号PCB设计以及实现PCB高效自动布线的技巧等等
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    时间:2020.03.12
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    sn74hc21四输入端双与非门SN54HC21,SN74HC21DUAL4-INPUTPOSITIVE-ANDGATESSCLS087C……
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    时间:2020.01.07
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    运算放大器.doc运算放大器|型号(规格)|功能简介|兼容型号||CA3130|高输入阻抗运算放大器|Intersil[DATA]||CA3140|高输入阻抗运算放大器| ||CD4573|四可编程运
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    时间:2020.03.12
    上传者:978461154_qq
    1N、2N、CA及ICL系列芯片资料.doc1N/2N/CA及ICL系列芯片资料|1N40011N40021N40031N40041N40051N40061N4007||Rectifiers整流二极管
    doc
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    时间:2020.03.11
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    NewACSseriesallowsswitchingathighertemperaturesandreducesgatedriveconsumptionNew600VACswitchesbringh
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    时间:2020.01.07
    上传者:2iot
    采用DirectFETMOSFET可获得更大的功率密度SO-8DirectFETMOSFETPCBDirectFETDirectFETMOSFETDC-DCDirectFETwww.irf.com/w
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    时间:2020.03.11
    上传者:978461154_qq
    确认合格的芯片SureCHIP工艺)&SureCHIP0IR./KGD}{q×100%ke75A@X%IC@qáüqRDS(on)ēh1200VèbnAqPogo]üqfvì=WüyLXt%y@=q¤