制造与封装资料下载_第289页-面包板社区

【DTU40P06-VB】P沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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DTU40P06(VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。应用简介：DTU40P0

DTU40P06 VBsemi TO252 mos datasheet
PCB技术简介

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时间：2020.01.06

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……
【P2402CAG-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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P2402CAG(VB7322)参数说明:极性：N沟道；额定电压：30V；最大电流：6A；导通电阻：30mΩ@10V,40mΩ@4.5V；门源电压范围：20Vgs(±V)阈值电压：1.2V；封装：SO

P2402CAG VBsemi sot236 mos datasheet
【SI3442CDV-VB】N沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

上传者：VBsemi

SI3442CDV(VB7322)参数说明：N沟道，30V，6A，导通电阻30mΩ@10V，40mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.2V，封装：SOT23-6。应用简介：SI344

SI3442CDV VBsemi sot236 mos datasheet
VIA的一份设计规范

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时间：2020.03.13

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VIA的一份设计规范……

via I2C controller
C500和C166微控制器系列的晶振

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时间：2020.03.13

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C500和C166微控制器系列的晶振……

电子元器件
飞利浦高质量BYD33J系列玻璃钝化二极管与两家竞争厂家

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时间：2020.03.13

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飞利浦高质量BYD33J系列玻璃钝化二极管与两家竞争厂家的产品性能比较……

电子元器件
【ZXMN6A07ZTA-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.28

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ZXMN6A07ZTA(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：ZX

ZXMN6A07ZTA VBsemi SOT893 mos datasheet
M68HC11 CPU与M68HC16 CPU两处理器的容量和各自的指令

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时间：2020.03.13

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M68HC11CPU与M68HC16CPU两处理器的容量和各自的指令集的比较……

电子元器件
adm213m

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时间：2020.03.11

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adm213mRS-232TransceiversJuly2002ANALOGDEVICESINTERFACEBULLETINCONTENTSADM33XXE:ChipScale+2.7V,15kVE

adm213m
单匝穿心式电流互感器设计与研究

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时间：2020.03.12

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高精度小匝数电流互感器是测量高压电气设备泄漏电流的一种重要传感器,设计了次级为500匝的单匝穿心式电流互感器。采用零磁通补偿原理来改善互感器的比差和角差特性,将误差控制在需要的范围内,达到了0.2级精

电子元器件
介绍用于OP-470(低噪声四运算放大器)的SPICE 宏模型

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时间：2020.03.13

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介绍用于OP-470(低噪声四运算放大器)的SPICE宏模型……

电子元器件
可适用导电胶的无铅升压电容发展趋势

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时间：2020.03.12

上传者：微风DS

原标题：ConductiveAdhesive-CompliantCapacitorsBoostLead-FreeTrend主要内容：可用导电胶连接的电容避免了常用的松香、焊锡所造成在高温下容易出错的问

村田制作所导电胶升压电容
【NTD5867NLT4G-VB】N沟道TO252封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

上传者：VBsemi

NTD5867NLT4G(VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252。应用简介：NT

NTD5867NLT4G VBsemi TO252 mos datasheet
国内外压敏电阻型号及参数大全

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时间：2020.03.12

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国内外压敏电阻型号及参数大全……

电子元器件
【RJP020N06T100-VB】N沟道SOT89-3封装MOS管Datasheet

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时间：2023.12.27

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RJP020N06T100(VBI1695)参数说明：N沟道，60V，5A，导通电阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT89-3。应用简介：RJP0

RJP020N06T100 VBsemi SOT893 mos datasheet
PCI总线互连之时序分析与仿真验证

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时间：2020.03.16

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PCI总线互连之时序分析与仿真验证……

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