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【XP152A12C0MR-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：XP152A12C0MR丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-RDS(ON)：57mΩ@4.5V，83mΩ@2.5V-门源电压范围：

XP152A12C0MR VBsemi sot23 mos datasheet
【CPH3427-TL-E-VB】N沟道SOT23封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CPH3427-TL-E丝印：VB1102M品牌：VBsemi详细参数说明：-类型：N沟道MOSFET-最大耐压：100V-最大电流：2A-导通电阻：246mΩ@10V,260mΩ@4.5V-门

CPH3427TLE VBsemi sot23 mos datasheet
【FDC6306P-VB】2个P沟道SOT23-6封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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FDC6306P详细参数说明：-极性：2个P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-4A-导通电阻：75mΩ@4.5V,100mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-1.2~-2.2V

FDC6306P VBsemi sot236 mos datasheet
【NTS2101PT1G-VB】P沟道SC70-3封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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NTS2101PT1G详细参数说明：-极性：P沟道-额定电压：-20V-额定电流：-3A-导通电阻：98mΩ@4.5V,117.6mΩ@2.5V-门源电压：12Vgs(±V)-阈值电压：-0.6~-2

NTS2101PT1G VBsemi SC703 mos datasheet
【CEM4435-VB】P沟道SOP8封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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型号：CEM4435丝印：VBA2317品牌：VBsemi参数：-频道类型：P沟道-额定电压：-30V-额定电流：-7A-RDS(ON)：23mΩ@10V，29mΩ@4.5V，66mΩ@2.5V-门源

CEM4435 VBsemi SOP8 mos datasheet
【CED12N10-VB】N沟道TO251封装MOS管Datasheet

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时间：2024.01.03

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CED12N10详细参数说明：-极性：N沟道-额定电压：100V-额定电流：15A-导通电阻：115mΩ@10V,120mΩ@4.5V-门源电压：20Vgs(±V)-阈值电压：1.41Vth(V)-封

CED12N10 VBsemi TO251 mos datasheet
KL3H4 SSOP4 晶体管光耦(AC交流)产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KL3H4光耦合器由两个反向并联的红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装的器件。产品特点•电流转换率CTR:Min.20%atIF=±1mA,VCE=5V•输入与输出间高

KL3H4 SSOP4 晶体管光耦 ac 交流产品规格书
晶台光耦KL814晶体管光耦(AC)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL814系列器件由两个反向并联的红外发射二极管与一个光电晶体管组成，构成光电耦合器。它们采用4引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•交流输入响应ACi

晶台光耦 814 晶体管光耦 ac 产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-4晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F4 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-3晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F3 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17F-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F2 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17F-1晶体管光耦产品规格书

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KLCNY17F-1系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成。它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCur

晶台光耦 KLCNY17F1 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17-1晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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晶台光耦 KLCNY171 晶体管光耦产品规格书
晶台光耦KLCNY17-2晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

上传者：晶台光耦

KLCNY17-2系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY172 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-3晶体管光耦产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLCNY17-3系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY173 晶体管产品规格书
晶台光耦KLCNY17-4晶体管光耦产品规格书

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KLCNY17-4系列器件由一个光电晶体管和一个与其光耦合的红外发射二极管组成，它采用6引脚DIP封装，有宽引线间距和SMD两种选择。产品特点Productfeatures•选取窄范围的CTRCurr

晶台光耦 KLCNY174 晶体管产品规格书
纳祥科技单片机拓展芯片NX6806中文规格书，可以国产替代PCF8591

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时间：2025.04.23

上传者：纳祥科技王工

NX6806是一种单芯片、单电源、低功耗的8位CMOS数据采集设备，具有四个模拟输入、一个模拟输出和一个串行I2C总线接口。三个地址引脚A0、A1和A2用于对硬件地址进行编程，允许使用最多八个设备连接

纳祥科技单片机拓展芯片 NX6806 国产替代 pcf8591

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