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KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦(高温特规)产品规格书

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KL3H7HT型是由一个红外发射二极管和光电晶体管构成光电耦合器，它们被封装在一个4引脚小外形SMD中产品特点Productfeatures•电流转换率(Currenttransferratio)CT

KL3H7HT SSOP4 晶体管光耦高温特规产品规格书
晶台光耦KLT3021可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLT3021系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3021 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3022可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KLT3022系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3022 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3023可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3023系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3023 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3051可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3051系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3051 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3052可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3052系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3052 可控硅光耦随机相位产品规格书
晶台光耦KLT3053可控硅光耦(随机相位)产品规格书

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KLT3053系列由一个砷化镓红外发光二极管和一个单晶硅芯片的随机相位光电双向晶闸管组成的可控硅光电耦合器。它被设计用于连接电子控制和功率双向可控硅开关，以控制115至240VAC工作电压下的电阻和感

晶台光耦 KLT3053 可控硅光耦随机相位产品规格书
IPT2601规格书 USB快速充电端口控制器

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时间：2023.10.09

上传者：国兴顺电子郑生

IPT2601是一款低成本的USB专用快速充电端口控制器已满兼容BC1.2和其他非BC1.2YD/T1591-2009苹果®和Samsung®充电规范，HiSilicon®Fa

IPT2601 规格书 usb 快速充电端口控制器
201010238057-LLC串联谐振变换器及其驱动方法

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时间：2019.06.13

上传者：feiniao2008

201010238057-LLC串联谐振变换器及其驱动方法
晶台光耦KL357NL晶体管光耦(小电流特规)产品规格书

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时间：2024.09.03

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KL357NL系列包含一个红外发射二极管,光耦合到一个光电晶体管构成光电耦合器，采用4引脚小外形SMD封装。产品特点Productfeatures•不含卤素Halogensfree(Br<900

晶台光耦 357NL 晶体管光耦小电流特规产品规格书
1200W开关电源设计原理图、PCB图.zip

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时间：2021.04.26

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电子产品日新月异，不管是硬件工程师还是软件工程师，基本的模电、数电知识也是必备的条件，从二极管到三极管，从单片机到多核MCU，3G网络到5G产品的普及，不管电子产品的集成度怎么高，其产品还是少不了电阻

1200W 开关电源设计原理图 pcb Zip
第1章.产品的电磁骚扰测试方法

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时间：2019.06.25

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第1章.产品的电磁骚扰测试方法
EMC整改方法

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输入8.0-100V 最大输出2A 内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122

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时间：2021.04.12

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一：方案名称：【RGBCW五路调光投光灯照明方案】输入8.0-100V 最大输出2A内置MOS降压恒流LED驱动IC芯片FP7122 二：方案品牌： &nbs
开关电源输入滤波器的阻抗匹配

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时间：2019.06.12

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摘要:在设计和选用电源滤波器的过程中系统工程师发现,加了滤波器以后作用不大,甚至会发生某些频段的噪声变大。造成该现象的主要原因之一是电源滤波器的输出阻抗和开关电源输入阻抗之间相互匹配。分析了滤波器输出
碳化硅MOS应用充电桩

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时间：2022.02.15

上传者：Eways-SIC

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比，提高了性能，同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。

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基于TOPSwitCh的电磁兼容性设计

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时间：2019.06.25

上传者：feiniao2008

基于TOPSwitCh的电磁兼容性设计

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